U-MOSVIII-H Low Voltage High Efficiency MOSFETs

Toshiba U-MOSVIII-H Low Voltage High-Efficiency MOSFETs are specifically designed for use in the secondary side of AC-DC power supplies for notebook PC adapters, game consoles, servers, desktop PCs, flat-panel displays, and more. They are also designed for use in DC-DC power supplies for communication equipment, servers, and data centers. Toshiba U-MOSVIII-H Low Voltage High-Efficiency MOSFETs are fabricated with Gen 8 trench MOS process, which helps improve power supply efficiency. Other features include low drain-source on-resistance, low leakage current, and high avalanche ruggedness. The series also includes automotive-qualified MOSFETs in a small package.

Resultados: 6
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 60V 6A AECQ MOSFET
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8,859En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.3 nC - 55 C + 175 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET
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3,670En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms - 20 V, 10 V 2.5 V 3.2 nC - 55 C + 175 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-ch Common drain FET Rss:9.9mOhm Vgs: 10V Pd:0.88W Pkg: TCSPAG
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19,353En existencias
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: 10,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 30 V - 20 V, 20 V 2.3 V 17.3 nC + 150 C 1.51 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 60V 6A AECQ MOSFET
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7,305En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 9.3 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET
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10,157En existencias
36,000Se espera el 26/6/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms - 20 V, 10 V 2.5 V 3.2 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 N-CH 80V 146A
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4,829En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 116 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 59 nC + 150 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape