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NTBLS0D8N08XTXG

Name: onsemi NTBLS0D8N08XTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBLS0D8N08XTXG
Price: 8.43 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

863-NTBLS0D8N08XTXG

Fabricante N.º:

NTBLS0D8N08XTXG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL

Hoja de datos:

NTBLS0D8N08XTXG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$8.43	$8.43
	$5.61	$56.10
	$4.53	$453.00
	$4.03	$2,015.00
	$3.56	$3,560.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	$3.56	$7,120.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	457 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	790 uOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.6 V
Qg - Carga de puerta:	174 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	325 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	JP
Tiempo de caída:	20 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	485 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	15 ns
Serie:	NTBLS0D8N08X
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	70 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	34 ns

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NTBLS0D8N08XTXG Hoja de datos

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Tecnología PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

NTBLS0D8N08X 80V Single N-Channel MOSFET

onsemi NTBLS0D8N08X 80V Single N-Channel MOSFET has a low Q_rr and a softer recovery body diode to ensure efficient energy management. The onsemi NTBLS0D8N08X also boasts ultra-low R_DS(on), enhancing overall power efficiency. Its low Q_g further contributes to optimized switching characteristics. Additionally, it adheres to environmental standards, being both Pb-free and Halogen/BFR-free.

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.

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