Resultados: 22
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3 10,566En existencias
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 150 V 33 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 5,063En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 206 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3 78,531En existencias
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 18 A 38 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 9.1 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2 4,333En existencias
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 11 A 11.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 56 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 1,973En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 75 V 120 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 155 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 5,582En existencias
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Carrete: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 206 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2 2,170En existencias
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 21 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3 4,212En existencias
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Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 23 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 9.1 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 3,710En existencias
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 75 V 100 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 69 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3 1,881En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 100 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 70 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 3 3,717En existencias
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 63 A 10.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3 7,781En existencias
10,000Se espera el 26/11/2026
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 150 V 21 A 52 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 8.7 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3 2,683En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 83 A 10.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 41 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3 16,231En existencias
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 90 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 68 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 11,626En existencias
Min.: 1
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 4.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 56 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 4,303En existencias
Min.: 1
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 150 V 50 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 31 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2 1,599En existencias
Min.: 1
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 19.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 17 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3 36,500En existencias
Min.: 1
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 23 A 27.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 9.1 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 9,330En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 40 A 10.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25 nC - 55 C + 150 C 66 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3 2,025En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 150 V 13 A 74 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 7 nC - 55 C + 150 C 38 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3 967En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 88 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 1,165En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel