Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
IXYS Diodos de Conmutación de Señal Baja 20 Amps 1200V
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IXYS Diodos de Conmutación de Señal Baja 30 Amps 600V
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170En existencias
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IXYS Rectificadores High Voltage Std Rectifier Sngl Diode
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74En existencias
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IXYS Rectificadores 45 Amps 1200V
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546En existencias
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IXYS Rectificadores 45 Amps 1600V
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277En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 10A
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179En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110Amps 150V
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2En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 12A
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300En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 14A
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306En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
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41En existencias
250Se espera el 23/9/2026
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2
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86En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 300V 38A N-CH X3CLASS
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39En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.5 Rds
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26En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 300V 56A N-CH X3CLASS
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44En existencias
300Se espera el 28/8/2026
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
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207En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
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83En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 7 Amps 1000V
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181En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
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674En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 1200V 0.35 Rds
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12En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-247AD
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89En existencias
300Se espera el 3/4/2026
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds
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280En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 200V 0.022 Rds
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64En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1200V 1.15 Rds
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50En existencias
1,350Se espera el 13/7/2026
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
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145En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 150V 0.013 Rds
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28En existencias
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