Resultados: 6
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Producto Configuración Máx. voltaje VCEO colector-emisor Voltaje de saturación colector-emisor Colector de Corriente Continua a 25 C Corriente de fuga puerta-emisor Dp - Disipación de potencia Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima
Microchip Technology APTGX300A170TDP3EG
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-DP3
10Se espera el 25/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 300 A 150 nA 1.311 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX600A120TDP3EG
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-DP3
10Se espera el 25/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.6 V 600 A 200 nA 2.272 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX600A170TDP3EG
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-DP3
10Se espera el 25/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 600 A 200 nA 2.272 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX900A120TDP3EG
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-DP3
10Se espera el 25/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.6 V 900 A 300 nA 3.26 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX900A170TDP3EG
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-DP3
10Se espera el 25/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 900 A 300 nA 3.26 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX300A120TDP3EG
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-DP3
10Se espera el 25/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.6 V 300 A 150 nA 1.311 kW - 40 C + 175 C