ZXMN Enhancement Mode MOSFETs

The Diodes Inc. ZXMN Enhancement Mode MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs featuring low on-resistance, fast switching, and high avalanche withstand capability. The Diodes Inc. ZXMN MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications, including SLIC line drivers for VoIP applications, transformer driving switch, motor control, uninterrupted power supply, and more.

Resultados: 56
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch 4.6 MOSFET w/low gate drive cap 4,662En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-26-6 N-Channel 1 Channel 20 V 5.4 A 40 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Chnl UMOS 13,611En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT MSOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 6.7 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 26.8 nC - 55 C + 150 C 1.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 100V MOSFET (UMOS) 4,326En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 6.4 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 9.6 nC - 55 C + 150 C 2.11 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Chnl UMOS 22,104En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,710
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-26-6 N-Channel 1 Channel 30 V 4.6 A 65 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 12.6 nC - 55 C + 150 C 1.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 100V 2,504En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 7.7 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 26 nC - 55 C + 150 C 10.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 10.9A N-CHANNEL MOSFET 2,808En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 10.9 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 17.1 nC - 55 C + 150 C 9.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V MOSFET (UMOS) 5,560En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 160
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 10.7 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 20.4 nC - 55 C + 150 C 2.11 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Chnl UMOS 4,087En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-26-6 N-Channel 1 Channel 20 V 3.1 A 225 mOhms - 12 V, 12 V 700 mV 3 nC - 55 C + 150 C 1.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel MOSFET 20V VGS 24.3A IDM 4,072En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 7.9 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 5.8 nC - 55 C + 150 C 4.13 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V N-Channel 6.1A MOSFET 2,151En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 70 V 6.1 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 7.4 nC - 55 C + 150 C 8.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Chnl UMOS 69,008En existencias
36,000Se espera el 21/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3.5 A 140 mOhms - 12 V, 12 V 700 mV 6.7 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Chnl UMOS 12,957En existencias
51,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 800 mA 700 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 2.9 nC - 55 C + 150 C 806 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Chnl UMOS 14,140En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000
: 1,000

Si SMD/SMT SOT-89-3 N-Channel 1 Channel 100 V 1.4 A 900 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 2.9 nC - 55 C + 150 C 2.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ENHANCE MODE MOSFET 200V N-CHANNEL 8,695En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 200 V 2.3 A 750 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 8.1 nC - 55 C + 150 C 4.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 39,452En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4.1 A 110 mOhms - 12 V, 12 V 700 mV 6.6 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET 45,435En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4 A 60 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV 2.8 nC - 55 C + 150 C 950 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Chnl UMOS 2,969En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 500
: 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 8.9 A 25 mOhms - 12 V, 12 V 700 mV 23.1 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Chnl UMOS 6,922En existencias
60,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000
: 1,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 40 V 7 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 18.2 nC - 55 C + 150 C 3.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl UMOS 29,921En existencias
90,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 1.4 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 3.2 nC - 55 C + 150 C 625 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl UMOS 8,158En existencias
7,000Se espera el 16/7/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,160
: 1,000

Si SMD/SMT SOT-89-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2.5 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 3.2 nC 2.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl UMOS 14,556En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000
: 1,000

Si SMD/SMT SOT-89-3 N-Channel 1 Channel 60 V 3.6 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 5.7 nC - 55 C + 150 C 2.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V MOSFET (UMOS) 17,655En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000
: 1,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 60 V 6.7 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 20.4 nC - 55 C + 150 C 3.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 2.1A N-Channel Enhancement MOSFET 914En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 100 V 2.1 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 7.7 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Chnl UMOS 90En existencias
15,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-26-6 N-Channel 1 Channel 100 V 1.9 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 7.7 nC - 55 C + 150 C 1.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel 2A MOSFET 1,567En existencias
19,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000
: 1,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 100 V 2.9 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 7.7 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel