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PSMN1R9-80SSEJ

Name: Nexperia PSMN1R9-80SSEJ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN1R9-80SSEJ
Price: 7.36 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

771-PSMN1R9-80SSEJ

Fabricante N.º:

PSMN1R9-80SSEJ

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) The factory is currently not accepting orders for this product.

Hoja de datos:

PSMN1R9-80SSEJ Hoja de datos (PDF)

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En pedido:: 3,818

Se espera el 19/4/2027
Plazo de entrega de fábrica:: 26

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Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.

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Precio unitario:

$-.--

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$-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$7.36	$7.36
	$4.93	$49.30
	$3.96	$396.00
	$3.52	$1,760.00
	$2.91	$2,910.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	$2.83	$5,660.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-1235-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	286 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.6 V
Qg - Carga de puerta:	155 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	340 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	46 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	42 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	79 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	46 ns
Alias de las piezas n.º:	934662574118

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PSMN1R9-80SSEJ Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

PCN

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PSMN1R9 & PSMN2R3 N-Channel MOSFETs

Nexperia PSMN1R9 and PSMN2R3 N-Channel MOSFETs are designed for extreme performance and reliability. The Nexperia PSMN devices are part of Nexperia's Application Specific MOSFETs (ASFETs) lineup. The MOSFETs are specifically engineered for hot-swap and soft-start applications and are qualified to operate at a temperature of up to 175°C. The devices boast low R_DSon and enhanced safe operating area performance, making them an ideal choice for demanding power management applications. The MOSFETs copper-clip LFPAK88 package provides high reliability and is robust enough to handle substantial inrush currents during turn-on. With low R_DSon and optimized efficiency, the PSMN1R9 and PSMN2R3 are standout solutions for power management systems.