Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MOSFETs for Industrial & Lighting Applications

Toshiba 60V and 100V Power MOSFETs for Industrial and Lighting Applications include the 60V SSM3K341 and the 100V SSM3K361 families. These MOSFETs feature industry-leading low on-resistance and are suited to load switching in television and industrial lighting. The devices are also good candidates for industrial automation systems that require low to medium power.

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Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Temperatura de trabajo máxima

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V

SSM6K341NU,LF
Toshiba
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570,294En existencias

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SSM6K341NU,LF

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757-SSM6K341NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

1 Channel

60 V

6 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

9.3 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=-6A VDSS=-20V

SSM6J801R,LF
Toshiba
1: $0.47
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SSM6J801R,LF

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757-SSM6J801RLF

Toshiba

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: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

32.5 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

12.8 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS

SSM3J351R,LF
Toshiba
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58,450En existencias
126,000Se espera el 19/6/2026

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SSM3J351R,LF

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757-SSM3J351RLF

Toshiba

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

60 V

3.5 A

164 mOhms

- 20 V, 10 V

800 mV

15.1 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V

SSM3J356R,LF
Toshiba
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53,071En existencias
6,000Se espera el 19/6/2026

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SSM3J356R,LF

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757-SSM3J356RLF

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

60 V

2 A

300 mOhms

- 20 V, 10 V

800 mV

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET

SSM3K341R,LF
Toshiba
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96,751En existencias
15,000Se espera el 29/6/2026

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SSM3K341R,LF

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757-SSM3K341RLF

Toshiba

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

60 V

6 A

36 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

+ 175 C

1.2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET

SSM3K361R,LF
Toshiba
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48,931En existencias
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SSM3K361R,LF

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757-SSM3K361RLF

Toshiba

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

100 V

3.5 A

69 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

3.2 nC

+ 175 C

1.2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V

SSM6K361NU,LF
Toshiba
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SSM6K361NU,LF

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757-SSM6K361NULF

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: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

1 Channel

100 V

3.5 A

51 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

3.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

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SSM6N815R,LF
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SSM6N815R,LF

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757-SSM6N815RLF

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SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

2 Channel

100 V

2 A

84 mOhms, 84 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

3.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.4 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V

SSM3K361TU,LF
Toshiba
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SSM3K361TU,LF

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757-SSM3K361TULF

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UFM-3

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1 Channel

100 V

3.5 A

51 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

3.2 nC

- 55 C

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U-MOSVIII-H

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V

SSM3K341TU,LF
Toshiba
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SSM3K341TU,LF

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757-SSM3K341TULF

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SMD/SMT

UFM-3

N-Channel

1 Channel

60 V

6 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

9.3 nC

- 55 C

+ 175 C

1 W

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U-MOSVIII-H

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