STPSC30G12 Silicon Carbide Power Schottky Diodes

STMicroelectronics STPSC30G12 Silicon Carbide Power Schottky Diodes are in a DO-247 package with long leads. The STMicroelectronics STPSC30G12 is an ultrahigh performance power Schottky rectifier manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 1200V rating. Thanks to the Schottky construction, no recovery is shown during turn-off, and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Configuración
If - Corriente directa
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión directa
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo
Ir - Corriente inversa
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Calificación
Empaquetado
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 1200 V, 30 A Silicon Carbide Diode
Hoja de datos
525En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole DO-247-2 Single 30 A 1.2 kV 1.35 V 250 A 15 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
Hoja de datos
5En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole DO-247-2 Single 30 A 1.2 kV 1.35 V 250 A 15 uA - 55 C + 175 C Tube