Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

SBR20E100CT

Name: Diodes Incorporated SBR20E100CT
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-SBR20E100CT
Price: 0.66 USD
Availability: OutOfStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

621-SBR20E100CT

Fabricante N.º:

SBR20E100CT

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Rectificadores y diodos Schottky 20A SBR 100Vrrm 120Vrwm 180Ifsm

Hoja de datos:

SBR20E100CT Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Diodes Incorporated SBR20E100CT

Disponibilidad

Existencias:: No en existencias

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 12 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$0.66	$0.66
	$0.371	$3.71
	$0.325	$32.50
	$0.312	$156.00
	$0.301	$301.00
	$0.30	$1,500.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Rectificadores y diodos Schottky
RoHS:
REACH - SVHC:
Producto:	Schottky Rectifiers
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220AB-3
Configuración:	Dual Anode Common Cathode
Tecnología:	Si
If - Corriente directa:	20 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	100 V
Vf - Tensión directa:	850 mV
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	250 A
Ir - Corriente inversa:	100 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 65 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	SBR20E100
Empaquetado:	Tube
Marca:	Diodes Incorporated
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tipo de producto:	Schottky Diodes & Rectifiers
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	100 V
Peso de la unidad:	1.850 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

SBR20E100CT Hoja de datos (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

Environmental Compliance (PDF)

CNHTS:: 8504409190
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

SBR20E100x Super Barrier Rectifiers

Diodes Inc. SBR20E100x Super Barrier Rectifiers deliver low forward voltage drop (VF) with excellent low reverse leakage stability at high temperatures. These rectifiers are composed of molded plastic in a TO-220AB case with matte tin finish terminals annealed over a copper lead frame. Patented SBR technology provides good avalanche capability ensuring rugged and reliable end applications. SBR20E100x rectifiers are designed to be used as rectification, freewheeling, or polarity protection diodes for DC-DC converters and AC-DC adapters/chargers. The Halogen and Antimony free green devices include a lead-free finish and ROHS compliance.

SBR® Super Barrier Rectifiers

Diodes Inc SBR^® Super Barrier Rectifiers use a MOS manufacturing process to create a superior two-terminal device with a lower forward voltage than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes. SBR Diodes are designed for high power, low loss and fast switching applications. The presence of a MOS channel within its structure forms a low potential barrier for the majority carriers. That means SBR forward bias operation at low voltage is similar to a Schottky diode. The leakage current is lower than Schottky Diode in reverse bias due to the overlap of the P-N depletion layers and the absence of potential barrier reduction due to the image charge.