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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Vishay Semiconductors Módulos MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
Hoja de datos
314En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 98 A 32.6 mOhms - 8 V, 19 V 1.7 V - 55 C + 175 C 468 W
Vishay Semiconductors Módulos MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
Hoja de datos
314En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 126 A 16.8 mOhms - 8 V, 19 V 2.5 V - 55 C + 175 C 535 W
Vishay Semiconductors Módulos MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
Hoja de datos
148En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 127 A 12.1 mOhms - 8 V, 15 V 2.6 V - 55 C + 175 C 750 W
Vishay Semiconductors Módulos MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
Hoja de datos
160En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 43 mOhms - 4 V, 15 V 2.4 V - 55 C + 175 C 136 W
Vishay Semiconductors Módulos MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
Hoja de datos
160En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 47 mOhms - 4 V, 15 V 2.6 V - 55 C + 175 C 238 W