X2-Class HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS X2-Class HiPerFET™ Power MOSFETs are N-channel enhancement mode, avalanche-rated MOSFETs. The X2-Class MOSFETs offer high power density, space savings and are easy to mount. The MOSFETs are available in international standard packages, including TO-263, TO-220, and TO-247.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 26A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 26 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 26A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 26 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement Tube