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RV4E031RPHZGTCR1

Name: ROHM Semiconductor RV4E031RPHZGTCR1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RV4E031RPHZGTCR1
Price: 0.3 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

755-RV4E031RPHZGTCR1

Fabricante N.º:

RV4E031RPHZGTCR1

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

Hoja de datos:

RV4E031RPHZGTCR1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-1616-6W
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	3.1 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	105 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	4.8 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.5 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	JP
Tiempo de caída:	18 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	1.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	22 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	35 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7 ns
Alias de las piezas n.º:	RV4E031RPHZG

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

RV4E031RP HZG Small Signal MOSFET

ROHM Semiconductor RV4E031RP HZG Small Signal MOSFET features low on-resistance, a small high power package, and a low voltage drive. This MOSFET is 100% UIS tested and includes a Wettable Flank for Automated Optical-solder Inspection (AOI). The RV4E031RP HZG signal MOSFET operates at -55°C to 150°C junction temperature range and storage temperature range. This MOSFET offers -30V drain-source voltage, ±3.1A continuous drain current, and 1.5W power dissipation. Typical applications include switching circuits, high side load switch, and high-speed line driver.