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FGHL50T65SQ

Name: onsemi FGHL50T65SQ
Brand: onsemi
SKU: 863-FGHL50T65SQ
Price: 4.88 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-FGHL50T65SQ

Fabricante N.º:

FGHL50T65SQ

Fabricante:

onsemi

Descripción:

IGBTs FS4TIGBT 50A 650V

Hoja de datos:

FGHL50T65SQ Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$2.25	$225.00
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.6 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	100 A
Dp - Disipación de potencia :	268 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	FGHL50T65SQ
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Máx. corriente continua Ic del colector:	100 A
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Corriente de fuga puerta-emisor:	400 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	450
Subcategoría:	IGBTs
Peso de la unidad:	116.667 mg

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FGHL50T65SQ Hoja de datos

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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onsemi FGHL50T65SQ FS4 High-Speed IGBT is a single Insulated-Gate Bipolar Transistor that uses the novel Field Stop 4th generation technology. This IGBT features high current capability, low saturation voltage, high input impedance, and fast switching. The FGHL50T65SQ IGBT provides good performance and high efficiency with low conduction and switching losses. This TO-247-3L packaged IGBT operates in 650V collector-to-emitter voltage and 50A collector current. Typical applications include Power Factor Correction (PFC), solar inverters, UPS, Electronic Switching Systems (ESS), welders, and telecom.