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IMZA65R083M1HXKSA1

Name: Infineon IMZA65R083M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMZA65R083M1HXKS
Price: 7.93 USD
Availability: Discontinued

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Mouser N.º:

726-IMZA65R083M1HXKS

Fabricante N.º:

IMZA65R083M1HXKSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

IMZA65R083M1HXKSA1 Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	26 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	111 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 5 V, + 23 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5.7 V
Qg - Carga de puerta:	19 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	104 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Infineon Technologies
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Cantidad de empaque de fábrica:	240
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Alias de las piezas n.º:	IMZA65R083M1H SP005423798

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Austria
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: Austria

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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