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TC6215TG-G

Name: Microchip TC6215TG-G
Brand: Microchip Technology
SKU: 689-TC6215TG-G
Price: 1.85 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

689-TC6215TG-G

Fabricante N.º:

TC6215TG-G

Fabricante:

Microchip Technology

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N & P Channel Enhanc ement Dual MOSFET

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Hoja de datos:

TC6215TG-G Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3300)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.85	$1.85
	$1.54	$38.50
	$1.39	$139.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3300)
	$1.38	$4,554.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-8
Polaridad del transistor:	N-Channel, P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	3.8 A, 1.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4 Ohms, 7 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	11.3 ns, 11.1 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	2.3 ns, 2.3 ns
Serie:	TC6215
Cantidad de empaque de fábrica:	3300
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	17.2 ns, 16.2 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	2.5 ns, 2.4 ns
Peso de la unidad:	74 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

TC6215 N- and P-Channel MOSFETs

The Microchip TC6215 N-channel and P-channel enhancement mode dual MOSFET combines an advanced vertical DMOS structure and a high-quality gate manufacturing process to provide both the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. The Microchip TC6215 consists of high voltage, low threshold N-channel and P-channel MOSFETs in an 8-lead SOIC (TG) package. Both MOSFETs included in the TC6215 have integrated back to back gate-source Zener diode clamps and guaranteed Rds(on) ratings down to 4.0V gate drive, allowing them to be driven directly with standard 5.0V CMOS logic. These Microchip devices are free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown.