Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 38

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3

IPA60R280P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $2.46
836En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13.8 A

252 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

25.5 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPP60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $4.63
276En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R125P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R125P6XKSA1

Infineon Technologies

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

113 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R070P6
Infineon Technologies
1: $6.17
207En existencias

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IPW60R070P6

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726-IPW60R070P6

Infineon Technologies

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

53.5 A

63 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

100 nC

- 55 C

+ 150 C

391 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R070P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $6.16
283En existencias

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IPW60R070P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R070P6XKSA1

Infineon Technologies

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TO-247-3

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600 V

53.5 A

63 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

100 nC

- 55 C

+ 150 C

391 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPW60R099P6
Infineon Technologies
1: $5.07
242En existencias

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IPW60R099P6

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726-IPW60R099P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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$5.07

$3.71

$3.01

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37.9 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPP60R125P6
Infineon Technologies
1: $3.88
499Se espera el 6/5/2026

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IPP60R125P6

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726-IPP60R125P6

Infineon Technologies

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499Se espera el 6/5/2026

$3.88

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

113 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 6.5A TO220FP-3

IPA60R380P6
Infineon Technologies
1: $2.17
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

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IPA60R380P6

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726-IPA60R380P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 6.5A TO220FP-3

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$2.17

$1.39

$0.963

$0.816

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10.6 A

342 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

31 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPP60R160P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $3.37
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R160P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R160P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

$3.37

$1.68

$1.53

$1.24

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Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23.8 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

176 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R125P6
Infineon Technologies
1: $4.27
Plazo de entrega 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R125P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R125P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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Plazo de entrega 8 Semanas

$4.27

$3.33

$2.70

$2.40

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

113 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRICE/PERFORM

IPZ60R099P6FKSA1
Infineon Technologies
1: $6.49
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPZ60R099P6FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ60R099P6FKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRICE/PERFORM

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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

$6.49

$3.72

$3.11

$2.70

Presupuesto

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Mult.: 1

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TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

37.9 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPA60R125P6
Infineon Technologies
1: $4.34
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R125P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R125P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

$4.34

$2.85

$2.18

$1.84

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

113 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPL60R180P6
Infineon Technologies
3,000: $1.32
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R180P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R180P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

Envase tipo carrete

$1.32

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

ThinPAK-5

N-Channel

1 Channel

600 V

22.4 A

162 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

44 nC

- 40 C

+ 150 C

176 W

Enhancement

CoolMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER PRICE/PERFORM

IPL60R210P6AUMA1
Infineon Technologies
3,000: $1.13
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R210P6AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R210P6AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER PRICE/PERFORM

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Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

Envase tipo carrete

$1.13

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

19.2 A

189 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

37 nC

- 40 C

+ 150 C

151 W

Enhancement

CoolMOS

Reel

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