Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 35

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R070P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $7.28
440En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R070P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R070P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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440En existencias

$7.28

$4.17

$3.46

$3.14

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

53.5 A

63 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

100 nC

- 55 C

+ 150 C

391 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R099P6
Infineon Technologies
1: $6.22
154En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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154En existencias

$6.22

$4.08

$3.01

$2.66

$2.37

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37.9 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.59
109En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R125P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R125P6XKSA1

Infineon Technologies

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109En existencias

$5.59

$3.14

$2.60

$2.25

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

113 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPP60R160P6
Infineon Technologies
1: $3.89
500Se espera el 11/3/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R160P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R160P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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500Se espera el 11/3/2027

$3.89

$2.54

$1.85

$1.54

$1.36

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23.8 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

176 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPA60R125P6
Infineon Technologies
1: $4.95
Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R125P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R125P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas

$4.95

$3.25

$2.42

$2.02

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

113 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 6.5A TO220FP-3

IPA60R380P6
Infineon Technologies
1: $2.46
Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R380P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R380P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 6.5A TO220FP-3

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Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas

$2.46

$1.56

$1.05

$0.854

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10.6 A

342 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

31 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPL60R180P6
Infineon Technologies
1: $4.29
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R180P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R180P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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Cinta cortada

$4.29

$2.81

$2.09

$1.75

$1.63

Envase tipo carrete

$1.53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

ThinPAK-5

N-Channel

1 Channel

600 V

22.4 A

162 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

44 nC

- 40 C

+ 150 C

176 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPP60R125P6
Infineon Technologies
1: $5.63
Plazo de entrega 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R125P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R125P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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Hoja de datos

Plazo de entrega 16 Semanas

$5.63

$3.69

$2.75

$2.30

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

113 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPP60R160P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $3.86
Plazo de entrega no en existencias 51 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R160P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R160P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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Plazo de entrega no en existencias 51 Semanas

$3.86

$2.41

$1.79

$1.44

$1.34

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23.8 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

176 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R125P6
Infineon Technologies
1: $5.85
Plazo de entrega 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R125P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R125P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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Plazo de entrega 16 Semanas

$5.85

$3.83

$2.82

$2.51

$2.22

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

113 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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