Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS®-P2 Automotive MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS®-P2 Automotive MOSFETs offers a comprehensive portfolio of P-channel automotive power MOSFETs with the technology of OptiMOS-P2 and Gen5. The Automotive MOSFETs are AEC qualified and supports a 175°C operating temperature. The Infineon OptiMOS-P2 Automotive MOSFETs are available in DPAK, D2PAK, TO220, TO262, and SO8 packages.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD50P03P4L11ATMA2
Infineon Technologies
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SMD/SMT

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Reel, Cut Tape

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IPD90P03P404ATMA2
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DPAK-3 (TO-252-3)

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IPD90P03P4L04ATMA2
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IPD90P03P4L04ATMA2

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DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

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1.5 V

125 nC

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137 W

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Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPD90P04P405ATMA2
Infineon Technologies
1: $2.72
3,785En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90P04P405ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90P04P405ATM2

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Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

90 A

4.7 mOhms

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3 V

118 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD90P04P4L04ATMA2
Infineon Technologies
1: $2.84
4,723En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90P04P4L04ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90P04P4L04AT2

Infineon Technologies

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4,723En existencias

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$2.84

$1.82

$1.27

$0.985

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$0.931

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DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

40 V

90 A

4.3 mOhms

- 16 V, 5 V

1.7 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB80P04P405ATMA2
Infineon Technologies
1: $3.31
1,949En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80P04P405ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80P04P405ATM2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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1,949En existencias

Cinta cortada

$3.31

$2.16

$1.50

$1.24

Envase tipo carrete

$1.15

$1.13

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: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3-2

P-Channel

1 Channel

40 V

80 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

116 nC

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD50P04P413ATMA2
Infineon Technologies
1: $1.70
4,734En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50P04P413ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50P04P413ATM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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$1.70

$1.08

$0.719

$0.565

Envase tipo carrete

$0.466

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TO-252-3-11

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1 Channel

40 V

50 A

9.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

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