ZXMN2x & ZXMN3x MOSFETs

Diodes Incorporated ZXMN2x and ZXMN3x MOSFETs are offered in compact S0-8 and  SOT23 packages. These MOSFETs are ideal for a range of space-starved switching and power management applications. The Diodes Inc. ZXMN2x and ZXMN3x MOSFETs are designed for external switches in buck/boost PoL converters, in which PCB footprint, thermal performance, and low threshold voltage are highly important.

Resultados: 5
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET 71,379En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4 A 60 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV 2.8 nC - 55 C + 150 C 950 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET 60,513En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4.9 A 45 mOhms - 12 V, 12 V 600 mV - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhance. Mode MOSFET 9,567En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4.6 A 47 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 7.7 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Dual N-channel Enhance. Mode MOSFET 792En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 7.3 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 12.9 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Dual N-Channel Enhance. Mode MOSFET
994Se espera el 15/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 7.1 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 10.5 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel