QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

NI-360 N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB
Hoja de datos
Comentarios de Producto
Plazo de entrega 16 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

Die N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dB
Hoja de datos
Comentarios de Producto
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

Die N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dB
Hoja de datos
Comentarios de Producto
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

Die N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 25
Mult.: 25

Screw Mount NI-360 N-Channel 32 V 7.32 A - 40 C + 85 C 86 W
Qorvo GaN FETs DC-25GHz 7Watt NF 1.3dB GaN
Hoja de datos
Comentarios de Producto
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 5
Mult.: 5

SMD/SMT DIE N-Channel 80 mA - 40 C + 85 C 8.9 W
Qorvo GaN FETs 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.3 A + 225 C 33 W
Qorvo T1G4020036-FL
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 25
Mult.: 25

NI-650 N-Channel