STP60N043DM9 MDmesh DM9 Power MOSFET

STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9 Power MOSFET is designed for medium/high voltage MOSFETs featuring very low RDS(on) per area coupled with a fast-recovery diode. The device implements innovative super-junction MDmesh DM9 technology offering a multi-drain manufacturing process that allows for an enhanced device structure.

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET 931En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 56 A 43 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 78.6 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET 244En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel 600 V 39 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 150 C 202 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET 236En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 44 mOhms 30 V 4.2 V 110 nC - 55 C + 150 C 166 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mOhm typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET 1,142En existencias
1,000Se espera el 5/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 600 V 27 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 44 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET 82En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 56 A 43 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 78.6 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement Tube