IXBx14N300HV Reverse Conducting BiMOSFET™ IGBTs

IXYS IXBx14N300HV Reverse Conducting BiMOSFET™ IGBTs combine the strengths of MOSFETs and IGBTs. These high voltage devices are ideal for parallel operation due to the positive voltage temperature coefficient of both its saturation voltage and the forward voltage drop of its intrinsic diode. The "Free" intrinsic body diodes of the IXBx14N300HV BiMOSFET IGBTs serve as a protection diode, providing an alternative path for the inductive load current during device turn-off, preventing high Ldi/dt voltage transients from inflicting damage to the device.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Paquete / Cubierta
Estilo de montaje
Configuración
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Voltaje de saturación colector-emisor
Máximo voltaje puerta-emisor
Colector de Corriente Continua a 25 C
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
IXYS IGBTs IGBT BIMSFT-VERY HIV OLT
Hoja de datos
300Se espera el 13/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT Single 3 kV 2.7 V - 20 V, 20 V 38 A 200 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS IGBTs TO263 3KV 14A HI GAIN
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 48 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-263HV-3 SMD/SMT Single 3 kV 2.2 V - 20 V, 20 V 38 A 200 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube