NVMFD6H846NL Dual N-Channel Power MOSFET

onsemi NVMFD6H846NL Dual N-Channel Power MOSFET is designed for compact and efficient designs with high thermal performance. This onsemi MOSFET features low RDS(on) to minimize conduction losses and low QG/capacitance to minimize driver losses. The NVMFD6H846NL MOSFET offers a small footprint with 5mm x 6mm dimensions. This MOSFET is AEC-Q101 Qualified and PPAP capable. Typical applications include reverse battery protection, power switches (high-side driver, low-side driver, and H-bridges), and switching power supplies.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS
Hoja de datos
985En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 80 V 31 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 17 nC - 55 C + 175 C 34 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS
Hoja de datos
555En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SO-8FL-Dual-8 Reel, Cut Tape