Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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40V Power MOSFETs

onsemi 40V Power MOSFETs feature standard gate-level technology and boast best-in-class on-resistance. The onsemi MOSFETs are designed for motor driver applications. The devices effectively minimize conduction and driving losses with lower on-resistance and reduced gate charge. Additionally, the MOSFETs provide excellent softness control for body diode reverse recovery, effectively mitigating voltage spike stress without needing an extra snubber circuit in applications.

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D4N04XMT1G
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DFN-5

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Enhancement

Reel, Cut Tape

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NTMFS0D5N04XLT1G
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$4.62

$3.04

$2.16

$1.85

$1.81

Envase tipo carrete

$1.72

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DFNW-5

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1 Channel

40 V

455 A

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- 20 V, 20 V

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Enhancement

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Enhancement

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NTMFS0D9N04XLT1G
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Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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Enhancement

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SMD/SMT

DFN-5

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1 Channel

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121 W

Enhancement

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NTMFS1D1N04XMT1G
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$1.06

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$0.715

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DFN-5

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233 A

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Cinta cortada

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$1.54

$1.29

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Envase tipo carrete

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Máx.: 1,860

: 1,500

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DFN-5

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1 Channel

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Enhancement

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$0.668

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$0.488

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Enhancement

Reel, Cut Tape

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NTMFS0D7N04XLT1G
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$1.94

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$1.16

$1.07

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$1.00

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: 1,500

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DFN-5

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1 Channel

40 V

349 A

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96 nC

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+ 175 C

167 W

Enhancement

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NTMFS1D3N04XMT1G
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$1.37

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$0.733

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Envase tipo carrete

$0.60

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

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1 Channel

40 V

195 A

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90 W

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NTMFS2D5N08XT1G
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Cinta cortada

$3.10

$1.98

$1.35

$1.12

Envase tipo carrete

$1.00

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Min.: 1
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: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

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181 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

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148 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS3D1N04XMT1G
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1: $1.53
1,343En existencias
1,500Se espera el 3/7/2026

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NTMFS3D1N04XMT1G

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863-NTMFS3D1N04XMT1G

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1,343En existencias

1,500Se espera el 3/7/2026

Cinta cortada

$1.53

$0.962

$0.639

$0.50

$0.404

Envase tipo carrete

$0.376

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

83 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

15.6 nC

- 55 C

+ 175 C

39 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS3D5N08XT1G
onsemi
1: $2.18
80En existencias
3,000Se espera el 26/5/2027

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NTMFS3D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D5N08XT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

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80En existencias

3,000Se espera el 26/5/2027

Cinta cortada

$2.18

$1.40

$0.948

$0.756

$0.712

Envase tipo carrete

$0.676

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

135 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

119 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D5N04XMT1G
onsemi
1: $3.49
10,500Se espera el 20/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D5N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D5N04XMT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

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10,500Se espera el 20/5/2026

Cinta cortada

$3.49

$2.26

$1.66

$1.39

$1.29

Envase tipo carrete

$1.29

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

414 A

520 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

97.5 nC

- 55 C

+ 175 C

163 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

40V Power MOSFETs

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