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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
Hoja de datos
3,012En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 2 Channel 40 V 100 A 2.9 mOhms, 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
Hoja de datos
1,074En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 2 Channel 40 V 100 A 3.4 mOhms, 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 120 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified 1,779En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 2 Channel 40 V 160 A 3.6 mOhms, 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 45 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel