Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 25

Filtros aplicados:

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3

SPB21N50C3
Infineon Technologies
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SPB21N50C3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

21 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3

SPW47N65C3
Infineon Technologies
1: $14.59
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NRND

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$11.32

$8.54

$8.14

$7.13

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

47 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

255 nC

- 55 C

+ 150 C

415 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD04N60C3ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.57
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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$2.57

$1.65

$1.13

$0.934

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$0.704

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

4.5 A

950 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3

SPP20N65C3XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.85
420En existencias
NRND

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726-SPP20N65C3XKSA1

NRND

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$5.85

$3.31

$2.83

$2.49

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20.7 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

87 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3

SPW35N60C3FKSA1
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1: $10.67
240En existencias
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$6.85

$5.70

$5.27

$5.19

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

34.6 A

81 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

200 nC

- 55 C

+ 150 C

313 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3

SPW35N60C3
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1: $10.45
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726-SPW35N60C3

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$7.39

$6.16

$5.48

$5.19

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

34.6 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

313 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 15A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA15N60C3
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$2.44

$2.08

$1.82

$1.72

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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SPA20N60C3
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1: $5.02
609En existencias
NRND

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726-SPA20N60C3

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Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20.7 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

87 nC

- 55 C

+ 150 C

34.5 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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SPB20N60C3
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726-SPB20N60C3

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

20.7 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

87 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

CoolMOS

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SPW20N60C3
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1: $6.29
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726-SPW20N60C3

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20.7 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

87 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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SPW47N60C3
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1: $13.26
443En existencias
2,400Se espera el 2/7/2026
NRND

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726-SPW47N60C3

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$13.26

$8.85

$7.56

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

47 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

252 nC

- 55 C

+ 150 C

415 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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SPA11N60C3
Infineon Technologies
1: $3.91
413En existencias
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SPA11N60C3

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726-SPA11N60C3

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$3.91

$2.23

$1.86

$1.48

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

380 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD03N60C3ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.16
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SPD03N60C3ATMA1

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726-SPD03N60C3ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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$2.16

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$0.572

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Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

3.2 A

1.4 Ohms

- 20 V, 20 V

3.9 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

38 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD08N50C3ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.97
2,538En existencias
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SPD08N50C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD08N50C3ATMA1

Fin de vida útil

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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2,538En existencias

Cinta cortada

$2.97

$1.91

$1.31

$1.08

Envase tipo carrete

$0.921

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

7.6 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 7.3A TO220-3

SPP07N60C3XKSA1
Infineon Technologies
1: $3.54
220En existencias
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SPP07N60C3XKSA1

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726-SPP07N60C3XKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 7.3A TO220-3

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$3.54

$1.88

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$1.30

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

7.3 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220-3

SPP11N60C3XKSA1
Infineon Technologies
1: $3.87
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N.º de artículo del Fabricante
SPP11N60C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP11N60C3XKSA1

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$2.22

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

380 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3

SPP20N60C3XKSA1
Infineon Technologies
1: $4.81
456En existencias
1,000Se espera el 3/7/2026
NRND

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SPP20N60C3XKSA1

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726-SPP20N60C3XKSA1

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

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20.7 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

87 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 16A TO247-3 CoolMOS C3

SPW16N50C3
Infineon Technologies
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335En existencias

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SPW16N50C3

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726-SPW16N50C3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 16A TO247-3 CoolMOS C3

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$3.26

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

16 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

66 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA07N60C3
Infineon Technologies
1: $3.11
84En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SPA07N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA07N60C3

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84En existencias

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$2.42

$1.75

$1.57

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

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7.3 A

600 mOhms

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2.1 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

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SPP24N60C3XKSA1
Infineon Technologies
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191En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SPP24N60C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP24N60C3XKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 24.3A TO220-3

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$6.02

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$3.41

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

24.3 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

104.9 nC

- 55 C

+ 150 C

240 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3

SPB11N60C3
Infineon Technologies
1: $4.48
37En existencias
1,000Se espera el 27/8/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPB11N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPB11N60C3

NRND

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Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

380 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD07N60C3ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.41
858En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SPD07N60C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD07N60C3ATMA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

Hoja de datos

858En existencias

Cinta cortada

$3.41

$2.22

$1.53

$1.26

Envase tipo carrete

$0.972

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

7.3 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3

SPW32N50C3
Infineon Technologies
1: $10.30
720Se espera el 16/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
SPW32N50C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW32N50C3

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

720Se espera el 16/7/2026

$10.30

$6.77

$5.64

$4.96

$4.45

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

32 A

110 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

170 nC

- 55 C

+ 150 C

284 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA11N65C3
Infineon Technologies
1: $3.66
Plazo de entrega 11 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA11N65C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA11N65C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

Plazo de entrega 11 Semanas

$3.66

$2.00

$1.65

$1.25

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

380 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 21A I2PAK-3

SPI21N50C3XKSA1
Infineon Technologies
1: $4.80
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SPI21N50C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPI21N50C3XKSA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 21A I2PAK-3

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

$4.80

$2.71

$2.08

$1.87

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

500 V

21 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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