Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 720

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50 Amps 250V 50 Rds

IXTP50N25T
IXYS
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IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50 Amps 250V 50 Rds

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$3.03

$2.88

$2.54

$2.47

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

250 V

50 A

60 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

78 nC

- 55 C

+ 150 C

400 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Id60 BVdass100

IXTP60N10T
IXYS
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IXTP60N10T

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747-IXTP60N10T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Id60 BVdass100

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$2.82

$1.43

$1.19

$1.13

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench POWER Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200v, 60A

IXTP60N20T
IXYS
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IXTP60N20T

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench POWER Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200v, 60A

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$3.41

$3.21

$2.86

$2.84

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

60 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 76 Amps 250V 39 Rds

IXTP76N25T
IXYS
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IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 76 Amps 250V 39 Rds

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

250 V

76 A

39 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

92 nC

- 55 C

+ 150 C

460 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 Amps 100V 13.0 Rds

IXTP80N10T
IXYS
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IXTP80N10T

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IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 Amps 100V 13.0 Rds

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123En existencias

$4.37

$2.92

$2.24

$1.99

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

80 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

230 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 8A N-CH X2CLASS

IXTP8N65X2M
IXYS
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IXTP8N65X2M

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IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 8A N-CH X2CLASS

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$3.79

$2.07

$1.74

$1.53

$1.37

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90 Amps 55V 0.0084 Rds

IXTP90N055T2
IXYS
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IXTP90N055T2

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IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90 Amps 55V 0.0084 Rds

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$3.54

$2.10

$1.76

$1.24

$1.11

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

55 V

90 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 130 Amps 100V 8.5 Rds

IXTQ130N10T
IXYS
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IXTQ130N10T

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747-IXTQ130N10T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 130 Amps 100V 8.5 Rds

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$6.30

$3.58

$3.00

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$2.51

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3P-3

N-Channel

1 Channel

100 V

130 A

8.5 mOhms

- 55 C

+ 175 C

360 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 200V 60A N-CH TRENCH

IXTQ60N20T
IXYS
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IXTQ60N20T

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$3.46

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$2.38

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Mult.: 1

Through Hole

TO-3P-3

N-Channel

1 Channel

200 V

60 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 100V 25.0 Rds

IXTY44N10T
IXYS
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IXTY44N10T

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 100V 25.0 Rds

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$2.41

$1.21

$1.16

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Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

85 V

44 A

22 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

130 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 4A N-CH X2CLASS

IXTY4N65X2
IXYS
1: $3.47
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IXTY4N65X2

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747-IXTY4N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 4A N-CH X2CLASS

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238En existencias

$3.47

$1.69

$1.28

$1.16

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Mult.: 1

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

650 V

4 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

8.3 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 8A N-CH X2CLASS

IXTY8N65X2
IXYS
1: $3.86
29En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTY8N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTY8N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 8A N-CH X2CLASS

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29En existencias

$3.86

$3.62

$1.64

$1.47

$1.34

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Mult.: 1

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET

IXTY8N70X2
IXYS
1: $4.01
60En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTY8N70X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTY8N70X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET

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60En existencias

$4.01

$3.87

$1.76

$1.61

$1.48

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Mult.: 1

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

700 V

8 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 55V 90A

IXTY90N055T2
IXYS
1: $3.92
191En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTY90N055T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTY90N055T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 55V 90A

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191En existencias

$3.92

$2.57

$1.89

$1.68

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Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

55 V

90 A

8.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 200V 220A N-CH X3CLASS

IXFK220N20X3
IXYS
1: $19.24
9En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK220N20X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK220N20X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 200V 220A N-CH X3CLASS

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9En existencias

$19.24

$13.66

$12.66

$12.65

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

200 V

220 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

204 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 90A N-CH X3CLASS

IXFP90N20X3M
IXYS
1: $10.56
35En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP90N20X3M

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP90N20X3M

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 90A N-CH X3CLASS

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35En existencias

$10.56

$6.91

$5.31

$4.80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

90 A

12.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

78 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/10A

IXFR15N100Q3
IXYS
1: $22.47
4En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFR15N100Q3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFR15N100Q3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/10A

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Hoja de datos

4En existencias

$22.47

$14.55

$13.75

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

10 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

3.5 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

400 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 260A

IXTP260N055T2
IXYS
1: $6.81
21En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP260N055T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP260N055T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 260A

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Hoja de datos

21En existencias

$6.81

$3.83

$3.58

$3.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

55 V

260 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

140 nC

- 55 C

+ 175 C

480 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE

IXFT170N25X3HV
IXYS
1: $21.94
1,750Se espera el 24/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFT170N25X3HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT170N25X3HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE

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Hoja de datos

1,750Se espera el 24/8/2026

$21.94

$15.96

$13.92

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

170 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

190 nC

- 55 C

+ 150 C

960 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench T2 HiperFET Power MOSFET

IXFT320N10T2
IXYS
1: $21.18
2,088Se espera el 25/3/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFT320N10T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT320N10T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench T2 HiperFET Power MOSFET

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Hoja de datos

2,088Se espera el 25/3/2026

$21.18

$13.38

$12.15

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

320 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

430 nC

- 55 C

+ 175 C

1 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 300V 72A N-CH X3CLASS

IXFA72N30X3
IXYS
1: $10.66
2,120Se espera el 1/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFA72N30X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA72N30X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 300V 72A N-CH X3CLASS

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Hoja de datos

2,120Se espera el 1/5/2026

$10.66

$6.43

$5.92

$5.31

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

300 V

72 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 Amps 500V 0.05 Ohms Rds

IXFB100N50P
IXYS
1: $31.10
617Se espera el 24/4/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFB100N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFB100N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 Amps 500V 0.05 Ohms Rds

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Hoja de datos

617Se espera el 24/4/2026

$31.10

$23.85

$20.74

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PLUS-264-3

N-Channel

1 Channel

500 V

100 A

49 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

240 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET

IXFB110N60P3
IXYS
1: $25.53
292Se espera el 9/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFB110N60P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFB110N60P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET

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Hoja de datos

292Se espera el 9/11/2026

$25.53

$16.71

$15.64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PLUS-264-3

N-Channel

1 Channel

600 V

110 A

56 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

245 nC

- 55 C

+ 150 C

1.89 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 100V 0.015 Rds

IXFH110N10P
IXYS
1: $8.87
2,948Se espera el 10/4/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFH110N10P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH110N10P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 100V 0.015 Rds

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Hoja de datos

2,948Se espera el 10/4/2026

$8.87

$5.36

$4.47

$4.06

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

100 V

110 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

480 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 26A

IXFH26N60P
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IXFH26N60P

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

26 A

270 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

460 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

HiPerFET™ Power MOSFETs

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Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
D3PAK-3 (TO-268-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
ISOPLUS-i4-PAK-5
ISOPLUS-i5-PAK-5
PLUS-264-3
SMPD-24
TO-220-3
TO-220FP-3
TO-247-3
TO-247-4
TO-247-PLUS-3
TO-251-3
TO-252-3
TO-263-3
TO-263-7
TO-263AA-3
TO-264-3
TO-268-3
TO-3P

36 V
40 V
55 V
60 V
65 V
70 V
75 V
85 V
100 V
105 V
120 V
135 V
150 V
170 V
175 V
200 V
250 V
300 V
500 V
600 V

2 A
2.1 A
2.3 A
3 A
3.5 A
4 A
5 A
6 A
7 A
8 A
9 A
9.5 A
10 A
10.5 A
12 A
13 A
14 A
15 A
16 A
18 A

1 mOhms
1.25 mOhms
1.3 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.8 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.5 mOhms
4 mOhms
4.1 mOhms

4.3 nC
7 nC
8.3 nC
11 nC
11.8 nC
12 nC
17 nC
17.7 nC
18.5 nC
21 nC
22 nC
25.5 nC
26 nC
27 nC
27.4 nC
29 nC
30 nC
32 nC
33 nC
33.4 nC

1 mW
1.04 mW
1.13 mW
1.2 mW
1.25 mW
1.3 mW
1.67 mW
1.785 mW
30 W
32 W
33 W
34 W
36 W
37 W
40 W
42 W
43 W
50 W
55 W
58 W