HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Resultados: 720
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 2.4 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 182 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench T2 Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 145 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 440A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 55 V 440 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 405 nC - 55 C + 175 C 1 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench Gate Power MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 50 A 60 mOhms HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/9A Power MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 52 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 113 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 250V 86A N-CH TRENCH
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 250 V 86 A 37 mOhms - 20 V, 20 V 3 V - 55 C + 150 C 540 W HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 250V 36 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 96 A 29 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 625 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 55 V 550 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 595 nC - 55 C + 175 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 100V 6.1 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole ISOPLUS-i5-PAK-5 N-Channel 2 Channel 100 V 200 A 7.4 mOhms - 55 C + 175 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 102 Amps 150V 18 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 102 A 18 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 175 C 455 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 40V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 6.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 58 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 12A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 17.7 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 12A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 40 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 700V 12A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 700V 12A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Id130 BVdass100
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 8.5 mOhms - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 0V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 55 V 140 A 5.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 82 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 160 Amps 40V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 79 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTP170N13X4
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 135 V 170 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 105 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/9A Power MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 35 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 20A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 20A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/9A Power MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 35 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-220AB/FP
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 230 A 2.9 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 140 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-220AB/FP
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 40 V 230 A 2.9 mOhms - 15 V, 15 V 2 V - 55 C + 175 C 340 W HiPerFET Tube