TO-247-4 Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
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279En existencias
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 55A N-CH SIC
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61En existencias
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
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150En existencias
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
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529En existencias
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC Automotive SiC MOSFET, 750 V
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13En existencias
240En pedido
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Infineon Technologies IGBTs High speed and low saturation voltage 750 V TRENCHSTOP IGBT7 technology
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180En existencias
Min.: 1
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Infineon Technologies IGBTs High speed and low saturation voltage 750 V TRENCHSTOP IGBT7 technology
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153En existencias
Min.: 1
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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215En existencias
Min.: 1
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
240En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
225En existencias
Min.: 1
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
173En existencias
Min.: 1
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
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126En existencias
240Se espera el 1/10/2026
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
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118En existencias
480En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3105KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
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87En existencias
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onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UF3N120007K4S
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1,115En existencias
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Máx.: 60

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/9MOCOMBO-FETG4TO2
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540En existencias
Min.: 1
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Máx.: 60

Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4 Notch
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168En existencias
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
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615En existencias
240Se espera el 5/11/2026
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
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554En existencias
240En pedido
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
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1,387En existencias
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
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336En existencias
240Se espera el 1/10/2026
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
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961En existencias
Min.: 1
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
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687En existencias
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IXYS MOSFETs de SiC TO247 1200V N CH 20A
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546En existencias
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: 450

IXYS MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO247-4L HV
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550En existencias
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