|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 82 Amps 250V 0.035 Rds
- IXTQ82N25P
- IXYS
-
1:
$12.12
-
292En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ82N25P
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 82 Amps 250V 0.035 Rds
|
|
292En existencias
|
|
|
$12.12
|
|
|
$7.25
|
|
|
$6.19
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds
- IXTQ88N30P
- IXYS
-
1:
$16.10
-
335En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ88N30P
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds
|
|
335En existencias
|
|
|
$16.10
|
|
|
$9.87
|
|
|
$9.09
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
- 2SA1943N(S1,E,S)
- Toshiba
-
1:
$3.99
-
1,474En existencias
-
2,125Se espera el 29/6/2026
|
N.º de artículo de Mouser
757-2SA1943N(S1ES)
|
Toshiba
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
|
|
1,474En existencias
2,125Se espera el 29/6/2026
|
|
|
$3.99
|
|
|
$2.02
|
|
|
$1.60
|
|
|
$1.49
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.29
|
|
|
$1.24
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
- 2SC5200N(S1,E,S)
- Toshiba
-
1:
$3.71
-
3,076En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-2SC5200N(S1ES)
|
Toshiba
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
|
|
3,076En existencias
|
|
|
$3.71
|
|
|
$1.94
|
|
|
$1.54
|
|
|
$1.33
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.19
|
|
|
$1.13
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Transistor NPN 230V 15A
- 2SC5359-O(Q)
- Toshiba
-
1:
$4.70
-
1,262En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-2SC5359-O(Q)
|
Toshiba
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Transistor NPN 230V 15A
|
|
1,262En existencias
|
|
|
$4.70
|
|
|
$3.11
|
|
|
$2.45
|
|
|
$2.05
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.89
|
|
|
$1.57
|
|
|
$1.55
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 150W
- NJW0281G
- onsemi
-
1:
$4.46
-
1,567En existencias
-
1,350Se espera el 18/12/2026
|
N.º de artículo de Mouser
863-NJW0281G
|
onsemi
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 150W
|
|
1,567En existencias
1,350Se espera el 18/12/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 60
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 150W
- NJW0302G
- onsemi
-
1:
$4.44
-
1,453En existencias
-
1,470Se espera el 6/7/2026
|
N.º de artículo de Mouser
863-NJW0302G
|
onsemi
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 150W
|
|
1,453En existencias
1,470Se espera el 6/7/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 60
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W TO-3P PNP
- NJW1302G
- onsemi
-
1:
$5.90
-
6,472En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-NJW1302G
|
onsemi
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W TO-3P PNP
|
|
6,472En existencias
|
|
|
$5.90
|
|
|
$3.86
|
|
|
$2.88
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 120
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W NPN
- NJW21194G
- onsemi
-
1:
$5.08
-
679En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-NJW21194G
|
onsemi
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W NPN
|
|
679En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 60
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ
- 2SA1943-O(S1,F
- Toshiba
-
1:
$4.56
-
693En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-2SA1943-OS1F
|
Toshiba
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ
|
|
693En existencias
|
|
|
$4.56
|
|
|
$2.60
|
|
|
$2.12
|
|
|
$1.97
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.52
|
|
|
$1.49
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pb-FPOWERTRANSISTORTO-3PLPC=150WF=100KHZ
- 2SC5200-O(S1,F
- Toshiba
-
1:
$4.66
-
617En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-2SC5200-OS1F
|
Toshiba
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pb-FPOWERTRANSISTORTO-3PLPC=150WF=100KHZ
|
|
617En existencias
|
|
|
$4.66
|
|
|
$2.66
|
|
|
$2.17
|
|
|
$1.78
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.56
|
|
|
$1.54
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
IGBTs 600V/30A DIS
- GT30J121(Q)
- Toshiba
-
1:
$4.63
-
137En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-GT30J121(Q)
|
Toshiba
|
IGBTs 600V/30A DIS
|
|
137En existencias
|
|
|
$4.63
|
|
|
$3.06
|
|
|
$2.40
|
|
|
$1.77
|
|
|
$1.75
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W PNP
- NJW21193G
- onsemi
-
1:
$5.08
-
416En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-NJW21193G
|
onsemi
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W PNP
|
|
416En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 60
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN TO-3P POWER TRANS
- NJW44H11G
- onsemi
-
1:
$3.71
-
63En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-NJW44H11G
|
onsemi
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN TO-3P POWER TRANS
|
|
63En existencias
|
|
|
$3.71
|
|
|
$2.03
|
|
|
$1.65
|
|
|
$1.38
|
|
|
$1.22
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN 230V 15A
- 2SC5200-O(Q)
- Toshiba
-
1:
$4.34
-
1,476En existencias
-
16,000En pedido
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
757-2SC5200-O(Q)
NRND
|
Toshiba
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN 230V 15A
|
|
1,476En existencias
16,000En pedido
Existencias:
1,476 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
4,500 Se espera el 26/6/2026
5,100 Se espera el 11/9/2026
6,400 Se espera el 16/11/2026
Plazo de entrega de fábrica:
23 Semanas
|
|
|
$4.34
|
|
|
$2.86
|
|
|
$1.90
|
|
|
$1.65
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.55
|
|
|
$1.43
|
|
|
$1.40
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
SCR 50 Amp 1200 Volt
- BTW69-1200RG
- STMicroelectronics
-
1:
$6.91
-
134En existencias
-
4,200En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
511-BTW69-1200
|
STMicroelectronics
|
SCR 50 Amp 1200 Volt
|
|
134En existencias
4,200En pedido
Existencias:
134 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
1,800 Se espera el 2/9/2026
2,400 Se espera el 12/10/2026
Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas
|
|
|
$6.91
|
|
|
$3.96
|
|
|
$3.30
|
|
|
$3.06
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SCRs
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
- STGWT40HP65FB
- STMicroelectronics
-
1:
$3.53
-
831En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGWT40HP65FB
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
|
|
831En existencias
|
|
|
$3.53
|
|
|
$1.92
|
|
|
$1.57
|
|
|
$1.28
|
|
|
$1.22
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 120 Amps 300V
- DPG120C300QB
- IXYS
-
1:
$13.72
-
28En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-DPG120C300QB
|
IXYS
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 120 Amps 300V
|
|
28En existencias
|
|
|
$13.72
|
|
|
$8.32
|
|
|
$7.33
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
Diodes - General Purpose, Power, Switching
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 200V
- DPG60C200QB
- IXYS
-
1:
$8.74
-
19En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-DPG60C200QB
|
IXYS
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 200V
|
|
19En existencias
|
|
|
$8.74
|
|
|
$5.08
|
|
|
$4.27
|
|
|
$4.04
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
Diodes - General Purpose, Power, Switching
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 300V
- DPG60C300QB
- IXYS
-
1:
$8.74
-
9En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-DPG60C300QB
|
IXYS
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 300V
|
|
9En existencias
|
|
|
$8.74
|
|
|
$5.08
|
|
|
$4.27
|
|
|
$4.04
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
Diodes - General Purpose, Power, Switching
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 400V
- DPG60C400QB
- IXYS
-
1:
$9.71
-
30En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-DPG60C400QB
|
IXYS
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 400V
|
|
30En existencias
|
|
|
$9.71
|
|
|
$5.70
|
|
|
$4.81
|
|
|
$4.64
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
Diodes - General Purpose, Power, Switching
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET
- IXFQ26N50P3
- IXYS
-
1:
$10.18
-
286En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFQ26N50P3
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET
|
|
286En existencias
|
|
|
$10.18
|
|
|
$6.95
|
|
|
$5.25
|
|
|
$5.05
|
|
|
$4.77
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
- IXFQ94N30P3
- IXYS
-
1:
$15.72
-
166En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFQ94N30P3
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
|
|
166En existencias
|
|
|
$15.72
|
|
|
$9.62
|
|
|
$9.35
|
|
|
$8.69
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 100V 0.015 Rds
- IXTQ110N10P
- IXYS
-
1:
$10.23
-
89En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ110N10P
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 100V 0.015 Rds
|
|
89En existencias
|
|
|
$10.23
|
|
|
$6.99
|
|
|
$4.96
|
|
|
$4.87
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
- IXTQ14N60P
- IXYS
-
1:
$7.27
-
220En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ14N60P
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
|
|
220En existencias
|
|
|
$7.27
|
|
|
$4.17
|
|
|
$3.48
|
|
|
$3.21
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
