TO-3P-3 Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos
Cambiar Vista por categorías
Resultados: 138
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds
Hoja de datos
68En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds
Hoja de datos
232En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 300V 0.11 Rds
Hoja de datos
376En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET
Hoja de datos
130En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50 Amps 200V 0.06 Rds
Hoja de datos
216En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 52 Amps 300V 0.066 Ohm Rds
Hoja de datos
268En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 200V 60A N-CH TRENCH
Hoja de datos
274En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3


Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN PWR Amp Trans 18A 35A 180W 160V
Hoja de datos
25En existencias
500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W NPN
Hoja de datos
625En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP 230V 15A
Hoja de datos
280En existencias
5,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 150V 0.016 Rds
Hoja de datos
12En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
WeEn Semiconductors Rectificadores Dual ultrafast power diode
Hoja de datos
474En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Rectifiers Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 600V
Hoja de datos
305Se espera el 22/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Amps 500V
Hoja de datos
300Se espera el 25/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200 W BETA AUDIO
Hoja de datos
3,021Se espera el 15/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 40

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
IXYS SCR Power Thyristor Discretes-SCR TO-3P (3)
Hoja de datos
26Se espera el 19/3/2027
Min.: 1
Mult.: 1

SCRs Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics SCR 50 Amp 800 Volt
Hoja de datos
Plazo de entrega 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

SCRs Through Hole TO-3P-3
IXYS Diodos de Conmutación de Señal Baja 20 Amps 600V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 400V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3