SiC Semiconductores

Resultados: 1,994
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Infineon Technologies Módulos MOSFET XHP2 module with CoolSiC Trench MOSFET and NTC
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3En existencias
3Se espera el 1/6/2026
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Infineon Technologies Módulos MOSFET CoolSiC MOSFET half-bridge module 2300 V
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3En existencias
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Infineon Technologies Módulos MOSFET MEDIUM POWER 62MM
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7En existencias
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Infineon Technologies Módulos MOSFET MEDIUM POWER 62MM
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14En existencias
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Infineon Technologies Módulos de semiconductores discretos HybridPACK Drive G2 module with SiC MOSFET
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6En existencias
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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813En existencias
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: 1,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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1,620En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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1,260En existencias
Min.: 1
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: 1,800

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1,260En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800

Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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780En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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1,791En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1,787En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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643En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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165En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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199En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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316En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode
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198En existencias
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode
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235En existencias
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode
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225En existencias
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
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134En existencias
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Máx.: 10

Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
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147En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 30

Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
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185En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 120

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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240En existencias
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
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302En existencias
480Se espera el 18/6/2026
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
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164En existencias
Min.: 1
Mult.: 1