SiC Semiconductores

Resultados: 1,994
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Texas Instruments Controladores de puertas Automotive 20A rea l -time variable IGBT 4,144En existencias
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Máx.: 300
: 2,000

Toshiba MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. 2,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Toshiba MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. 2,480En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 1,887En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 2,573En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2 1,341En existencias
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Mult.: 1
: 750

Infineon Technologies Módulos MOSFET XHP HV
8En existencias
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Mult.: 1

Infineon Technologies Rectificadores y diodos Schottky SIC DISCRETE 1,426En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology 621En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1,612En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 2,918En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2 6,319En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2 1,665En existencias
Min.: 1
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Máx.: 50

ROHM Semiconductor Módulos MOSFET half-bridge module consisting of SiC-MOSFETs, suitable for Automotive application, Inverter, Converter, and (Hybrid) electrical vehicles EV/HEV. 80En existencias
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Mult.: 1
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 1.2KV 75A N-CH SIC 994En existencias
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: 1,000
Toshiba MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. 2,493En existencias
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: 2,500

Toshiba MOSFETs de SiC N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. 2,500En existencias
Min.: 1
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: 2,500

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UF3N120007K4S 1,199En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UG4SC075005L8S 1,122En existencias
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Mult.: 1
: 2,000

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/9MOCOMBO-FETG4TO2 555En existencias
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Mult.: 1

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UJ4N075004L8S 1,954En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000


Vishay Controladores de puertas 55A VRPOWER INTGRATED POWER STAGE 2,994En existencias
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: 3,000

Vishay Semiconductors Módulos MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET 306En existencias
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onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TOLL 23MOHM 650V M3S 1,719En existencias
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: 2,000

Wolfspeed Módulos MOSFET SiC Module, 3.5mohm, 1200V, DM4, Half-Bridge, Industrial 34En existencias
78En pedido
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Mult.: 1