GaN Semiconductores

Resultados: 800
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Power Integrations Conversores CA/DC 90 W (85-265 VAC) 1,785En existencias
Min.: 1
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: 2,000

MACOM GaN FETs Amplifier, 240W, 3.1GHz, GaN HEMT, 28V
2En existencias
Min.: 1
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MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
20En existencias
Min.: 10
Mult.: 10

MACOM GaN FETs 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
40En existencias
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Mult.: 1
: 50

Qorvo CMD262
Qorvo Amplificador de RF 26-28 GHz (K, Ka Band) GaN Power Amp
7En existencias
Min.: 1
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Texas Instruments Controladores de puertas 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3411R150RWHT 703En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

MACOM GaN FETs GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 Watt
17En existencias
Min.: 1
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MACOM GaN FETs 280W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
30En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 50

Texas Instruments Controladores de puertas 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3410R150RWHT 305En existencias
Min.: 1
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: 2,000

MACOM Amplificador de RF MMIC GaN HEMT, G28V4-1, 25W, 5.2-5.9 GHz
12En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MACOM GaN FETs 480W GaN HEMT 48V 3800MHz
50En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 50

MACOM Amplificador de RF GaN Amplifier 65 V, 1300 W 960 - 1215 MHz 13En existencias
Min.: 1
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STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor 337En existencias
Min.: 1
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: 1,800

STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor 675En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Analog Devices Amplificador de RF 1-22GHz 15W PA
7En existencias
3Se espera el 13/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Texas Instruments Controladores de puertas 650V 170mohm GaN FET with integrated dri 2,000En existencias
Min.: 1
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Texas Instruments Controladores de puertas 650V 270mohm GaN FET with integrated dri 2,000En existencias
Min.: 1
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EPC GaN FETs 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP 1,901En existencias
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Mult.: 1
: 2,500

EPC GaN FETs 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP 800En existencias
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: 1,000

EPC Controladores de puertas Integrated Circuits 100 V ePower stage in FCQFN 1,591En existencias
3,000Se espera el 29/7/2026
Min.: 1
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: 3,000

Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5 2,086En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5 3,604En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Drive HB 600 V G5 3,026En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Infineon Technologies GaN FETs 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode 2,646En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Infineon Technologies GaN FETs 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode 2,667En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000