GaN Semiconductores

Resultados: 813
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN 1,675En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

MACOM GaN FETs 280W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
30En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 50

MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt 165En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

MACOM Amplificador de RF DIE, MMIC, GaN, PA, 25W, 6.0-12.0GHz
5En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


MACOM GaN FETs GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W 9En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 50

MACOM GaN FETs 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz 17En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 50

MACOM Amplificador de RF MMIC GaN HEMT, G28V4-1, 25W, 5.2-5.9 GHz
12En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MACOM GaN FETs 480W GaN HEMT 48V 3800MHz
50En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 50

Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLL 376En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLT 1,316En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,300

Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L 1,419En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor 356En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800

Analog Devices Amplificador de RF 1-22GHz 15W PA
8En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

EPC GaN FETs 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP 1,926En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

EPC GaN FETs 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP 800En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5 1,917En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5 3,660En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Infineon Technologies Controladores de puertas 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode 2,352En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Infineon Technologies Controladores de puertas 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode 2,392En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Infineon Technologies Controladores de puertas 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode 2,100En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Infineon Technologies GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration 2,678En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Bidirectional Switch 2,797En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
ROHM Semiconductor GaN FETs GaN FETs 650V, 14.5A, 130m, Pd 91W 2,941En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,500
Power Integrations Conversores CA/DC 20 W (85-580 VAC) 1,316En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Power Integrations Conversores CA/DC 35 W (85-580 VAC) 1,393En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000