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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -4. 1A SOT-89
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -5. 8A SO-8
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -33 .5A PMPAK-5x6
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -15 .5A SO-8
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 18.5 A SO-8
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 26.1 A PMPAK-5x6
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 26A PMPAK-5x6
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 31.5 A PMPAK-5x6
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -11 .3A SO-8
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -12 .7A PMPAK-3x3
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 37.5 A PMPAK-5x6
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 33.8 A PMPAK-5x6
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 75A TO-252
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.0 53A SOT-23
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 20A TO-220CFM
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 93A TO-220CFM-T
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 72A TO-220CFM-T
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996En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 66A TO-252
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 700V 3.2 A TO-252
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Saia-Burgess Interruptores de acción básicos / a presión Door switch
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Renesas Electronics OSC XPP736156.25000 PROGRAMMABLE XO
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15En existencias
1,000Se espera el 17/7/2026
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 3.5A SOT-23S
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3,000En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -20V -4A SOT-23S
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3,000En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -20V -4. 2A SOT-23S
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2,399En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30
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890En existencias
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