DN3545 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 450V 20Ohm 9,502En existencias
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: 2,000

Si SMD/SMT SOT-89-3 N-Channel 1 Channel 450 V 200 mA 20 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V - 55 C + 150 C 1.6 W Depletion Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 450V 20Ohm 1,075En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 450 V 136 mA 20 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V - 55 C + 150 C 740 mW Depletion Bulk