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k8a50d Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7.5A 500V 35W 700pF 1.04 Ohm

TK8A50DA(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $2.29
49En pedido

N.º de artículo del Fabricante
TK8A50DA(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK8A50DASTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7.5A 500V 35W 700pF 1.04 Ohm

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

7.5 A

760 mOhms

- 30 V, 30 V

4.4 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 500V 4.0s IDSS 10 uA 0.7 Ohm

TK8A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $2.37
1,219En pedido

N.º de artículo del Fabricante
TK8A50D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK8A50DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 500V 4.0s IDSS 10 uA 0.7 Ohm

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