El/los Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) más reciente(s)

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CEL Low Noise FETs & ICs
CEL Low Noise FETs & ICs
07/09/2023
Deliver exceptional noise performance even beyond 20GHz with high associated gains.
Qorvo pHEMT GaAs discreto de 600 µm QPD2060D
Qorvo pHEMT GaAs discreto de 600 µm QPD2060D
04/19/2022
Ofrece 28 dBm de potencia de salida a P1dB, ganancia de 12 dB y eficiencia de potencia agregada del 55 % a 1 dB.
Qorvo pHEMT GaAs discreto de 800 µm QPD2080D
Qorvo pHEMT GaAs discreto de 800 µm QPD2080D
04/19/2022
Ofrece 29.5 dBm de potencia de salida a P1dB, ganancia de 11.5 dB y eficiencia de potencia agregada del 56 % a 1 dB.
Qorvo pHEMT GaAs discreto de 1200 µm QPD2120D
Qorvo pHEMT GaAs discreto de 1200 µm QPD2120D
04/19/2022
Ofrece 31 dBm de potencia de salida a P1dB, ganancia de 11.5 dB y eficiencia de potencia agregada del 57 % a 1 dB.
Qorvo pHEMT GaAs discreto de 1600 µm QPD2160D
Qorvo pHEMT GaAs discreto de 1600 µm QPD2160D
04/19/2022
Ofrece 32.5 dBm de potencia de salida a P1dB, ganancia de 10.4 dB y eficiencia de potencia agregada del 63 % a 1 dB.
Qorvo QPD2025D 250um Discrete GaAs pHEMT Die
Qorvo QPD2025D 250um Discrete GaAs pHEMT Die
02/14/2022
Developed using Qorvo's proven standard 0.25um power pHEMT production process.
Qorvo QPD2040D 400um Discrete GaAs pHEMT Die
Qorvo QPD2040D 400um Discrete GaAs pHEMT Die
02/14/2022
Designed using Qorvo's proven standard 0.25um power pHEMT production process.
Qorvo QPD2018D 180um Discrete GaAs pHEMT Die
Qorvo QPD2018D 180um Discrete GaAs pHEMT Die
02/14/2022
Utilizes Qorvo's proven standard 0.25um power pHEMT production process.
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