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HMC637BPM5E

Name: Analog Devices Inc. HMC637BPM5E
Brand: Analog Devices
SKU: 584-HMC637BPM5E
Price: 221.86 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

584-HMC637BPM5E

Fabricante N.º:

HMC637BPM5E

Fabricante:

Analog Devices

Descripción:

Amplificador de RF Distributed amp

Hoja de datos:

HMC637BPM5E Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Analog Devices Inc.
Categoría de producto:	Amplificador de RF
RoHS:
Frecuencia de trabajo:	0 Hz to 7.5 GHz
Voltaje de alimentación operativo:	12 V
Corriente de suministro operativa:	345 mA
Ganancia:	15.5 dB
NF - Figura de ruido:	3.5 dB
Tipo:	Power Amplifiers
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	LFCSP-32
Tecnología:	GaAs
P1dB: punto de compresión:	28 dBm
OIP3: punto de intersección de tercer orden:	39 dBm
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	HMC637
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Analog Devices
Kit de desarrollo:	EV1HMC637BPM5
Pérdida de retorno de entrada:	15 dB
Sensibles a la humedad:	Yes
Número de canales:	1 Channel
Dp - Disipación de potencia :	5.7 W
Tipo de producto:	RF Amplifier
Cantidad de empaque de fábrica:	500
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits
Peso de la unidad:	4.675 g

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8542339000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Taiwán
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Soluciones RF

Analog Devices offers components that cover the complete high speed and RF signal chain. The portfolio enables design engineers to develop platform electronic test and measurement systems that have best-in-class performance and low cost of test and ownership across an ever increasing frequency range from DC to > 100GHz and beyond. As the preeminent supplier of data converters, RF and microwave ICs, Analog Devices provides more than 2,000 high performance products across the entire frequency spectrum.
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HMC637BPM5E MMICs

Analog Devices Inc. HMC637BPM5E Monolithic Microwave Integrated Circuits (MMICs) are gallium arsenide (GaAs), pseudomorphic high electron mobility transistors (pHEMT), cascode distributed power amplifiers. Analog Devices MMICs are self-biased in normal operation and feature optional bias control for quiescent current (IDQ) adjustment and the second-order intercept (IP2) and third-order intercept (IP3) optimization. The amplifiers operate from DC to 7.5GHz, providing 15.5dB of small signal gain and 28dBm output power at 1dB gain compression. The devices also feature a typical output IP3 of 39dBm, and a 3.5dB noise figure, while requiring 345mA from a 12V supply voltage (V_DD).