Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor Tecnología Id - Corriente de drenaje continua Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Frecuencia de trabajo Ganancia Potencia de salida Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Estilo de montaje Paquete / Cubierta Empaquetado
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
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Dual N-Channel Si 65 V 150 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 15.5 dB 190 W + 200 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
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Dual N-Channel Si 65 V 800 mOhms 2.62 GHz to 2.69 GHz 15.5 dB 30 W + 225 C SMD/SMT H-37248H-4 Reel
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Dual N-Channel Si 65 V 800 mOhms 2.62 GHz to 2.69 GHz 15.5 dB 30 W + 225 C SMD/SMT H-37248H-4 Reel
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N-Channel Si 65 V 300 mOhms 2.01 GHz to 2.025 GHz 16 dB 140 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
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N-Channel Si 65 V 300 mOhms 2.01 GHz to 2.025 GHz 16 dB 140 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
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Dual N-Channel Si 65 V 50 mOhms 2.495 GHz to 2.69 GHz 20 dB 25 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
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Dual N-Channel Si 65 V 50 mOhms 2.495 GHz to 2.69 GHz 20 dB 25 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 30W, Si LDMOS IC , 50V, 575-960MHz, TO270 No en existencias
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MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 30W, Si LDMOS IC , 50V, 575-960MHz, TO270 No en existencias
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MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 40W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270 No en existencias
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MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 60W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270 No en existencias
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MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier No en existencias
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Dual N-Channel Si 105 V 80 mOhms 734 MHz to 821 MHz 18.2 dB 550 W + 225 C SMD/SMT HBSOF-6-2 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 615W, Si LDMOS, 48V, 730-960 MHz, TO288 No en existencias
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MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier No en existencias
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MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 700W, Si LDMOS, 48V, 790-820MHz, TO275 No en existencias
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Dual N-Channel Si 105 V 80 mOhms 859 MHz to 960 Mhz 17.5 dB 480 W + 225 C SMD/SMT HBSOF-6-2 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 520W, Si LDMOS, 48V, 925-960MHz, TO275 No en existencias
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N-Channel Si 600 mA 105 V 70 mOhms 920 MHz to 960 MHz 19 dB 630 W Screw Mount HB2SOF-6-1 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 850W, Si LDMOS 48V, 730-960 MHz, TO288 No en existencias
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N-Channel Si 105 V 160 mOhms 746 MHz to 821 MHz 22.5 dB 240 W + 225 C SMD/SMT HBSOF-4-1 Reel
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N-Channel Si 105 V 120 mOhms 755 MHz to 805 MHz 23.6 dB 370 W + 225 C SMD/SMT HBSOF-4-2 Reel
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N-Channel Si 105 V 160 mOhms 869 MHz to 960 MHz 22 dB 240 W + 225 C SMD/SMT HBSOF-4-1 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 240W, Si LDMOS, 48V, 869-960MHz, TO288 No en existencias
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