|
|
Módulos de semiconductores discretos 1200V, 20A, SiC Six pack Module GEN 3
- CBB021M12FM3
- Wolfspeed
-
1:
$120.89
-
18En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-CBB021M12FM3
|
Wolfspeed
|
Módulos de semiconductores discretos 1200V, 20A, SiC Six pack Module GEN 3
|
|
18En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
Discrete Semiconductor Modules
|
SiC
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TrenchP Power MOSFET
- IXTY48P05T
- IXYS
-
1:
$4.88
-
10,366En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTY48P05T
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TrenchP Power MOSFET
|
|
10,366En existencias
|
|
|
$4.88
|
|
|
$3.02
|
|
|
$2.75
|
|
|
$2.49
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel MOSFET A 595-CSD17577Q3A A A 595-CSD17577Q3A
- CSD17552Q3A
- Texas Instruments
-
1:
$1.71
-
16,150En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
595-CSD17552Q3A
|
Texas Instruments
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel MOSFET A 595-CSD17577Q3A A A 595-CSD17577Q3A
|
|
16,150En existencias
|
|
|
$1.71
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.72
|
|
|
$0.566
|
|
|
$0.463
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.517
|
|
|
$0.413
|
|
|
$0.39
|
|
|
$0.383
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
VSONP-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
- SIHK045N60E-T1-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$9.86
-
2,363En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIHK045N60E-T1GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
|
|
2,363En existencias
|
|
|
$9.86
|
|
|
$6.69
|
|
|
$5.31
|
|
|
$4.99
|
|
|
Ver
|
|
|
$4.60
|
|
|
$4.60
|
|
|
$4.60
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerPak-9
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
- STW58N65DM2AG
- STMicroelectronics
-
1:
$10.63
-
454En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW58N65DM2AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
|
|
454En existencias
|
|
|
$10.63
|
|
|
$8.95
|
|
|
$8.13
|
|
|
$7.24
|
|
|
$6.92
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -48.0 Amps -200V 0.085 Rds
- IXTH48P20P
- IXYS
-
1:
$14.57
-
642En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTH48P20P
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -48.0 Amps -200V 0.085 Rds
|
|
642En existencias
|
|
|
$14.57
|
|
|
$9.62
|
|
|
$8.81
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
- SIHG052N60EF-GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$8.45
-
461En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIHG052N60EF-GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
|
|
461En existencias
|
|
|
$8.45
|
|
|
$5.75
|
|
|
$4.91
|
|
|
$3.92
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 48 Amps 200V 50 Rds
- IXTP48N20T
- IXYS
-
1:
$6.06
-
681En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTP48N20T
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 48 Amps 200V 50 Rds
|
|
681En existencias
|
|
|
$6.06
|
|
|
$3.19
|
|
|
$2.72
|
|
|
$2.48
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pow er MOSFET A 595-CSD A 595-CSD17578Q5A
- CSD17551Q5A
- Texas Instruments
-
1:
$1.57
-
3,650En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
595-CSD17551Q5A
|
Texas Instruments
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pow er MOSFET A 595-CSD A 595-CSD17578Q5A
|
|
3,650En existencias
|
|
|
$1.57
|
|
|
$0.739
|
|
|
$0.657
|
|
|
$0.585
|
|
|
$0.378
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.50
|
|
|
$0.372
|
|
|
$0.37
|
|
|
$0.369
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
VSONP-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET
- FDMC86340ET80
- onsemi
-
1:
$4.32
-
2,654En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDMC86340ET80
Fin de vida útil
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET
|
|
2,654En existencias
|
|
|
$4.32
|
|
|
$2.96
|
|
|
$2.27
|
|
|
$1.85
|
|
|
$1.85
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
Power-33-8
|
|
|
|
Módulos MOSFET TO220 200V 48A N-CH TRENCH
- IXTP48N20TM
- IXYS
-
1:
$5.68
-
148En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTP48N20TM
|
IXYS
|
Módulos MOSFET TO220 200V 48A N-CH TRENCH
|
|
148En existencias
|
|
|
$5.68
|
|
|
$3.72
|
|
|
$2.73
|
|
|
$2.28
|
|
|
$2.19
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220AB-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7M12-40E/SOT1210/mLFPAK
- BUK7M12-40EX
- Nexperia
-
1:
$0.98
-
4,347En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-BUK7M12-40EX
|
Nexperia
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7M12-40E/SOT1210/mLFPAK
|
|
4,347En existencias
|
|
|
$0.98
|
|
|
$0.449
|
|
|
$0.397
|
|
|
$0.305
|
|
|
$0.259
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.26
|
|
|
$0.225
|
|
|
$0.203
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
LFPAK-33-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TenchP Power MOSFET
- IXTA48P05T
- IXYS
-
1:
$6.45
-
413En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTA48P05T
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TenchP Power MOSFET
|
|
413En existencias
|
|
|
$6.45
|
|
|
$3.42
|
|
|
$2.95
|
|
|
$2.73
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
- IPLT60R055CM8XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.06
-
377En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPLT60R055CM8XTM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
|
|
377En existencias
|
|
|
$7.06
|
|
|
$4.62
|
|
|
$3.40
|
|
|
$3.02
|
|
|
$2.55
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.67
|
|
|
$2.43
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,800
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-16
|
|
|
|
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
- IMZA120R040M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$11.94
-
352En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMZA120R040M2HXK
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
|
|
352En existencias
|
|
|
$11.94
|
|
|
$7.13
|
|
|
$6.08
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
PG-TO247-4-U02
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600VCoolMOSCM8PowerTransistor
- IPT60R055CM8XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.90
-
1,630En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R055CM8XTMA
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600VCoolMOSCM8PowerTransistor
|
|
1,630En existencias
|
|
|
$6.90
|
|
|
$4.64
|
|
|
$3.36
|
|
|
$3.15
|
|
|
$2.98
|
|
|
$2.98
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PG-HSOF-8
|
|
|
|
Módulos MOSFET 500V 48A
- IXFN48N50
- IXYS
-
1:
$40.91
-
2,573En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFN48N50
NRND
|
IXYS
|
Módulos MOSFET 500V 48A
|
|
2,573En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -60V -48A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
- AG502ELD3HRBTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.41
-
1,821En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
755-AG502ELD3HRBTL
Nuevo producto
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -60V -48A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
|
|
1,821En existencias
|
|
|
$2.41
|
|
|
$1.55
|
|
|
$1.05
|
|
|
$0.838
|
|
|
$0.77
|
|
|
$0.71
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-252-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -60V -48A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
- RD3L04BBJHRBTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.36
-
1,388En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
755-RD3L04BBJHRBTL
Nuevo producto
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -60V -48A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
|
|
1,388En existencias
|
|
|
$2.36
|
|
|
$1.52
|
|
|
$1.03
|
|
|
$0.821
|
|
|
$0.754
|
|
|
$0.693
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-252-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
- PJD55P03E-AU_L2_006A1
- Panjit
-
1:
$3.02
-
3,000En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
241-PJD55P03EAUL26A1
|
Panjit
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
|
|
3,000En existencias
|
|
|
$3.02
|
|
|
$1.96
|
|
|
$1.35
|
|
|
$1.09
|
|
|
$1.04
|
|
|
$0.965
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-252AA-3
|
|
|
|
MOSFETs de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
- IMYH200R050M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$25.46
-
549En existencias
-
1,920Se espera el 15/10/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMYH200R050M1HXK
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
|
|
549En existencias
1,920Se espera el 15/10/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
- ISZ173N15NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.53
-
5,150En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISZ173N15NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
|
|
5,150En existencias
|
|
|
$2.53
|
|
|
$1.63
|
|
|
$1.11
|
|
|
$0.885
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.764
|
|
|
$0.808
|
|
|
$0.795
|
|
|
$0.764
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TSDSON-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
- SQJ418EP-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$1.84
-
37,643En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ418EP-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
37,643En existencias
|
|
|
$1.84
|
|
|
$1.17
|
|
|
$0.783
|
|
|
$0.618
|
|
|
$0.565
|
|
|
$0.496
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerPAK-SO-8-4
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
- SIHP052N60EF-GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$7.98
-
1,019En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIHP052N60EF-GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
|
|
1,019En existencias
|
|
|
$7.98
|
|
|
$4.31
|
|
|
$3.95
|
|
|
$3.63
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
- AIMBG120R040M1XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$13.65
-
44En existencias
-
2,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-AIMBG120R040M1X1
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
|
|
44En existencias
2,000En pedido
|
|
|
$13.65
|
|
|
$9.11
|
|
|
$8.14
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$7.63
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$7.22
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Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
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SiC MOSFETS
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SMD/SMT
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TO-263-7
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