|
|
Microcontroladores de 32 bits - MCU PSOC6 Dual Core M4 & M0+
- CY8C6247BZI-D44
- Infineon Technologies
-
1:
$10.94
-
2,005En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
727-CY8C6247BZI-D44
|
Infineon Technologies
|
Microcontroladores de 32 bits - MCU PSOC6 Dual Core M4 & M0+
|
|
2,005En existencias
|
|
|
$10.94
|
|
|
$8.55
|
|
|
$7.96
|
|
|
$7.30
|
|
|
Ver
|
|
|
$6.98
|
|
|
$6.79
|
|
|
$6.64
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Memoria flash tipo NOR STD SPI
- S25FL128SAGMFIG11
- Infineon Technologies
-
1:
$3.69
-
602En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
727-S25FL128SAGMFIG1
|
Infineon Technologies
|
Memoria flash tipo NOR STD SPI
|
|
602En existencias
|
|
|
$3.69
|
|
|
$3.43
|
|
|
$3.33
|
|
|
$3.26
|
|
|
Ver
|
|
|
$3.18
|
|
|
$3.08
|
|
|
$3.03
|
|
|
$2.98
|
|
|
$2.95
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
- BSC054N04NSGATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.24
-
53,900En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC054N04NSGATMA
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
|
|
53,900En existencias
|
|
|
$1.24
|
|
|
$0.777
|
|
|
$0.512
|
|
|
$0.398
|
|
|
$0.28
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.331
|
|
|
$0.33
|
|
|
$0.27
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
F-RAM FRAM
- CY15B104Q-SXI
- Infineon Technologies
-
1:
$29.71
-
3,582En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
727-CY15B104Q-SXI
NRND
|
Infineon Technologies
|
F-RAM FRAM
|
|
3,582En existencias
|
|
|
$29.71
|
|
|
$27.50
|
|
|
$27.38
|
|
|
$22.62
|
|
|
Ver
|
|
|
$22.28
|
|
|
$22.03
|
|
|
$21.99
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
- IPP016N06NF2SAKMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.75
-
1,278En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-P016N06NF2SAKMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
|
|
1,278En existencias
|
|
|
$2.75
|
|
|
$1.37
|
|
|
$1.23
|
|
|
$0.883
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.882
|
|
|
$0.85
|
|
|
$0.849
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Controladores de puertas DRIVER-IC
- 1ED020I12FA2
- Infineon Technologies
-
1:
$9.61
-
3,627En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-1ED020I12FA2
NRND
|
Infineon Technologies
|
Controladores de puertas DRIVER-IC
|
|
3,627En existencias
|
|
|
$9.61
|
|
|
$7.20
|
|
|
$6.87
|
|
|
$5.96
|
|
|
$4.58
|
|
|
Ver
|
|
|
$5.69
|
|
|
$5.19
|
|
|
$4.46
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Controladores de puertas DRIVER-IC
- 1ED020I12FA2XUMA2
- Infineon Technologies
-
1:
$7.74
-
4,220En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-1ED020I12FA2XUM
NRND
|
Infineon Technologies
|
Controladores de puertas DRIVER-IC
|
|
4,220En existencias
|
|
|
$7.74
|
|
|
$5.99
|
|
|
$5.55
|
|
|
$5.07
|
|
|
Ver
|
|
|
$4.15
|
|
|
$4.84
|
|
|
$4.70
|
|
|
$4.15
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
IGBTs DISCRETE SWITCHES
- AIKB40N65DF5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.49
-
1,691En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-AIKB40N65DF5ATMA
|
Infineon Technologies
|
IGBTs DISCRETE SWITCHES
|
|
1,691En existencias
|
|
|
$4.49
|
|
|
$2.97
|
|
|
$2.10
|
|
|
$1.94
|
|
|
$1.64
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.58
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8
- BSC0924NDI
- Infineon Technologies
-
1:
$1.55
-
4,168En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC0924NDI
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8
|
|
4,168En existencias
|
|
|
$1.55
|
|
|
$0.722
|
|
|
$0.459
|
|
|
$0.384
|
|
|
$0.383
|
|
|
$0.368
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V -680mA SOT-223-3
- BSP316P H6327
- Infineon Technologies
-
1:
$1.01
-
15,169En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSP316PH6327
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V -680mA SOT-223-3
|
|
15,169En existencias
|
|
|
$1.01
|
|
|
$0.634
|
|
|
$0.413
|
|
|
$0.318
|
|
|
$0.287
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.261
|
|
|
$0.233
|
|
|
$0.216
|
|
|
$0.209
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación HITFET IC PWR SWITCH LOW SIDE 0.64A
- BTS3207NHUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.24
-
20,473En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BTS3207NHUMA1
|
Infineon Technologies
|
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación HITFET IC PWR SWITCH LOW SIDE 0.64A
|
|
20,473En existencias
|
|
|
$1.24
|
|
|
$0.897
|
|
|
$0.812
|
|
|
$0.718
|
|
|
$0.561
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.673
|
|
|
$0.646
|
|
|
$0.624
|
|
|
$0.554
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
- IAUZ30N10S5L240ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.32
-
18,526En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUZ30N10S5L240A
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
|
|
18,526En existencias
|
|
|
$1.32
|
|
|
$0.833
|
|
|
$0.551
|
|
|
$0.436
|
|
|
$0.317
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.37
|
|
|
$0.358
|
|
|
$0.31
|
|
|
$0.302
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
- IDK06G65C5XTMA2
- Infineon Technologies
-
1:
$2.99
-
4,753En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IDK06G65C5XTMA2
|
Infineon Technologies
|
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
|
|
4,753En existencias
|
|
|
$2.99
|
|
|
$1.94
|
|
|
$1.34
|
|
|
$1.12
|
|
|
$0.946
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.911
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
- IPB011N04LGATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.89
-
2,000En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB011N04LGATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
|
|
2,000En existencias
|
|
|
$3.89
|
|
|
$2.56
|
|
|
$1.80
|
|
|
$1.60
|
|
|
$1.32
|
|
|
$1.30
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
- IPB016N06L3 G
- Infineon Technologies
-
1:
$4.84
-
1,779En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB016N06L3G
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
|
|
1,779En existencias
|
|
|
$4.84
|
|
|
$3.20
|
|
|
$2.51
|
|
|
$2.23
|
|
|
$1.89
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.79
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
- IPB090N06N3 G
- Infineon Technologies
-
1:
$1.85
-
4,077En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB090N06N3G
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
|
|
4,077En existencias
|
|
|
$1.85
|
|
|
$1.18
|
|
|
$0.791
|
|
|
$0.632
|
|
|
$0.555
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.49
|
|
|
$0.464
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
- IPB180N04S4-01
- Infineon Technologies
-
1:
$3.65
-
9,397En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4-01
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
|
|
9,397En existencias
|
|
|
$3.65
|
|
|
$2.39
|
|
|
$1.67
|
|
|
$1.47
|
|
|
$1.24
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.19
|
|
|
$1.18
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
- IPB180N04S400ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.68
-
3,348En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S400ATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
|
|
3,348En existencias
|
|
|
$4.68
|
|
|
$3.10
|
|
|
$2.20
|
|
|
$2.05
|
|
|
$1.67
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A D2PAK-2
- IPB65R660CFDA
- Infineon Technologies
-
1:
$2.57
-
1,871En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R660CFDA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A D2PAK-2
|
|
1,871En existencias
|
|
|
$2.57
|
|
|
$1.65
|
|
|
$1.12
|
|
|
$0.932
|
|
|
$0.819
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.758
|
|
|
$0.733
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPB80R290C3AATMA2
- Infineon Technologies
-
1:
$5.16
-
1,177En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB80R290C3AATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
1,177En existencias
|
|
|
$5.16
|
|
|
$3.91
|
|
|
$3.00
|
|
|
$2.94
|
|
|
$2.43
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.42
|
|
|
$2.40
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 30A DPAK-2
- IPD135N03LGATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.48
-
19,543En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD135N03LGATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 30A DPAK-2
|
|
19,543En existencias
|
|
|
$0.48
|
|
|
$0.348
|
|
|
$0.328
|
|
|
$0.28
|
|
|
$0.186
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.253
|
|
|
$0.18
|
|
|
$0.174
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
- IPD30N08S2L-21
- Infineon Technologies
-
1:
$2.50
-
18,036En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N08S2L-21
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
|
|
18,036En existencias
|
|
|
$2.50
|
|
|
$1.60
|
|
|
$1.09
|
|
|
$0.908
|
|
|
$0.739
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.799
|
|
|
$0.714
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
- IPD50N04S4-08
- Infineon Technologies
-
1:
$1.23
-
16,369En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N04S4-08
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
|
16,369En existencias
|
|
|
$1.23
|
|
|
$0.767
|
|
|
$0.505
|
|
|
$0.401
|
|
|
$0.273
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.356
|
|
|
$0.264
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPD60R180C7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.97
-
2,460En existencias
-
7,500En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180C7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
2,460En existencias
7,500En pedido
Existencias:
2,460 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
2,500 Se espera el 16/2/2026
Plazo de entrega de fábrica:
8 Semanas
|
|
|
$2.97
|
|
|
$1.93
|
|
|
$1.35
|
|
|
$1.12
|
|
|
$1.01
|
|
|
$0.901
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
- IPD60R380P6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.93
-
7,306En existencias
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N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R380P6ATMA1
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
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7,306En existencias
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