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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Producto
Configuración
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Voltaje de saturación colector-emisor
Colector de Corriente Continua a 25 C
Corriente de fuga puerta-emisor
Paquete / Cubierta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Empaquetado
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 600 A dual IGBT module
Hoja de datos
24En existencias
8Se espera el 16/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF800R12KE7PEHPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 800 A dual IGBT module
Hoja de datos
32En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Tray
Infineon Technologies FF800R12KE7PHPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 800 A dual IGBT module
Hoja de datos
32En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module
Hoja de datos
32Se espera el 16/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 450 A common emitter IGBT module
Hoja de datos
32Se espera el 2/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
Hoja de datos
32Se espera el 16/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 62 mm C-Series module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode
Hoja de datos
30En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA Module - 40 C + 175 C Tray