Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

Resultados: 451
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM 1,355En existencias
Min.: 1
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Carrete: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 25 V 22.4 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 40 nC - 55 C + 150 C 2.66 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8 975En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 29 A 14.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 23 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET 9,354En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 185 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 47 nC - 55 C + 175 C 106 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET 2,515En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si LFPAK-4 AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL 1,259En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 85 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6D3F 40V NFET 2,353En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 185 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 47 nC - 55 C + 175 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL WF 1,399En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 109 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 27 nC - 55 C + 175 C 114 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH U8FL 1,384En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 48 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 10 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel 2,965En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000
Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 70 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO 1,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 159 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 45.2 nC - 55 C + 175 C 77 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 4.5 MOHM T6 S08FL SIN 1,480En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO 2,943En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 116 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 30 nC - 55 C + 175 C 3.61 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET 1,192En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 370 A 670 uOhms 20 V 2 V 181 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET 4,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 370 A 670 uOhms 20 V 2 V 181 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 0.67 MOHMS LL 1,139En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 370 A 670 uOhms 20 V 2 V 181 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 0.7 MOHMS SL 1,200En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 378 A 700 uOhms 20 V 4 V 128 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi NVMFS5C673NT1G
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG 1,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8 1,488En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 49 A 8.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 30V, 55A, 5.9mohm 1,460En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 55 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 18.2 nC - 55 C + 175 C 31 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL 5,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 37 A 10.3 mOhms 20 V 2 V 7.3 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi NVMFS4C301NET1G
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO 1,350En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Reel, Cut Tape
onsemi NVMFS4C301NWFET1G
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO 1,350En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL 1,188En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.4 mOhms 20 V 2 V 70 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET 1,200En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 2.4 mOhms 20 V 2 V 52 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET 1,326En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 9.2 mOhms 20 V 2 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape