Tipos de Semiconductores discretos

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
IXYS Rectificadores 120 Amps 1200V Plazo de entrega no en existencias 45 Semanas
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Rectifiers Through Hole ECO-PAC 1-11
IXYS Rectificadores 36 Amps 600V No en existencias
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Rectifiers SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2)

IXYS Rectificadores 8 Amps 600V No en existencias
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Rectifiers
IXYS IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 ISOPLUS247 Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
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IGBT Transistors Through Hole ISO247-3
IXYS IGBTs XPT IGBT Phaseleg No en existencias
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IGBT Transistors Si
IXYS IGBTs XPT IGBT Phaseleg No en existencias
Min.: 1
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IGBT Transistors Si
IXYS Módulos IGBT XPT IGBT phaseleg No en existencias
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IGBT Modules Si SMD/SMT SMPD-9
IXYS IGBTs XPT IGBT Phaseleg No en existencias
Min.: 1
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IGBT Transistors Si
IXYS IGBTs XPT IGBT Copack No en existencias
Min.: 300
Mult.: 30

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS IGBTs XPT Single IGBT No en existencias
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IGBT Transistors Si
IXYS IGBTs XPT Single IGBT No en existencias
Min.: 1
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IGBT Transistors Si
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/12A TO-263 Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/18A TO-263 Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/8A TO-263 Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/12A TO-247 No en existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/18A TO-247 Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/60A TO-247-4L Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2 Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/80A Ultra Junction X2-Class Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/18A TO-220 Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/18A OVERMOLDED TO-220 Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/8A TO-220 Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS IGBTs TO247 650V 110A XPT Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs TO247 650V 140A XPT Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD No en existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3