Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPP80R900P7XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPS70R600P7SAKMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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IPW60R145CFD7XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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IPW80R280P7XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 2A,MillerClamp,DESA
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 2A,MillerClamp,DESA
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Controladores de puertas 1200V Isolated 2-CH, 2A,MillerClamp,DESA
2ED020I12-F2
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Controladores de puertas 1200V Isolated 2-CH, 2A,MillerClamp,DESA
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Outpu
1EDI20N12AF
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Outpu
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPZA60R080P7XKSA1
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726-IPZA60R080P7XKSA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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IPW60R180P7XKSA1
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37,680 Se espera el 16/4/2026
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726-IPW60R180P7XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
37,680 Se espera el 16/4/2026
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Controladores de puertas 30A 2-OUT Half Brdg Non-Inv
2ED300C17-ST
Infineon Technologies
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117 Se espera el 28/5/2026
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641-2ED300C17-ST
Infineon Technologies
Controladores de puertas 30A 2-OUT Half Brdg Non-Inv
117 Se espera el 28/5/2026
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
IDDD20G65C6XTMA1
Infineon Technologies
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726-IDDD20G65C6XTMA1
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
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$3.66
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Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE
IDM02G120C5XTMA1
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$2.22
24,998 En pedido
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726-IDM02G120C5XTMA1
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Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE
24,998 En pedido
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9,998 Se espera el 7/5/2026
15,000 Se espera el 16/7/2026
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26 Semanas
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$2.22
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB60R105CFD7ATMA1
Infineon Technologies
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977 Se espera el 9/4/2026
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726-IPB60R105CFD7ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
977 Se espera el 9/4/2026
1
$4.74
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$2.09
1,000
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Controladores de puertas 600V high & low-side 0.7A,integrated BSD
2EDL05I06BFXUMA1
Infineon Technologies
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2,500 Se espera el 4/3/2026
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726-2EDL05I06BFXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V high & low-side 0.7A,integrated BSD
2,500 Se espera el 4/3/2026
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$1.19
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$0.561
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$0.646
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$0.62
1,000
$0.598
7,500
$0.554
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Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE
IDH08G120C5XKSA1
Infineon Technologies
1:
$3.91
997 Se espera el 23/4/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IDH08G120C5XKSA1
Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE
997 Se espera el 23/4/2026
1
$3.91
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500
$1.64
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$1.51
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Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE
IDK05G120C5XTMA1
Infineon Technologies
1:
$3.51
1 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IDK05G120C5XTMA1
Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE
1 En existencias
1
$3.51
10
$2.30
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$1.60
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$1.39
1,000
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Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE
IDW40G120C5BFKSA1
Infineon Technologies
1:
$13.80
480 Se espera el 26/3/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IDW40G120C5BFKSA
Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE
480 Se espera el 26/3/2026
1
$13.80
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$8.40
100
$8.01
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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
IMW65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
$8.94
480 Se espera el 16/6/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R048M1HXKSA
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
480 Se espera el 16/6/2026
1
$8.94
10
$5.25
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$4.73
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD60R280P7SAUMA1
Infineon Technologies
1:
$1.52
4,032 Se espera el 27/8/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R280P7SAUMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
4,032 Se espera el 27/8/2026
1
$1.52
10
$0.962
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$0.641
500
$0.503
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2,500
$0.412
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R095CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1:
$5.01
2,999 Se espera el 9/3/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R095CFD7AUM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
2,999 Se espera el 9/3/2026
1
$5.01
10
$3.33
100
$2.37
500
$2.25
1,000
$2.16
3,000
$2.15
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R160CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1:
$3.61
2,990 Se espera el 2/7/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R160CFD7AUM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
2,990 Se espera el 2/7/2026
1
$3.61
10
$2.37
100
$1.85
500
$1.63
1,000
$1.54
3,000
$1.39
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPP60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$4.71
3,000 Se espera el 5/11/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
3,000 Se espera el 5/11/2026
1
$4.71
10
$2.86
100
$2.61
500
$2.44
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$6.94
906 Se espera el 21/5/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
906 Se espera el 21/5/2026
1
$6.94
10
$4.00
100
$3.38
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$5.76
1,601 Se espera el 14/5/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1,601 Se espera el 14/5/2026
1
$5.76
10
$3.27
100
$2.72
480
$2.64
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Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R4K5P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.03
2,500 Se espera el 16/4/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R4K5P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
2,500 Se espera el 16/4/2026
1
$1.03
10
$0.566
100
$0.38
500
$0.325
2,500
$0.252
5,000
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