HiPerFET Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 210 Amps 200V 0.0105 Rds Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR PWR MOSFET 100V, 300A Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Amps 1100V 0.2600 Rds Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChHiPerFET-Q3 Class TO-264(3) Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/62A Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 70A PLUS264 Power MOSFET Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 82 Amps 600V 0.75 Ohm Rds Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/82A Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V/90A Ultra Junction X-Class Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 Amps 250V 0.027 Rds Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 102 Amps 0V Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 150V Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 0V Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFETs Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-247AD Plazo de entrega 27 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/12A TO-247 No en existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id12 BVdass800 Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFETs Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-247AD Plazo de entrega 27 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 15 Amps 1000V 0.76 Rds Plazo de entrega 27 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 160 Amps 150V Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET No en existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD No en existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3