|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
- STWA60N028T
- STMicroelectronics
-
1:
$7.07
-
645En existencias
-
600Se espera el 25/5/2027
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STWA60N028T
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
|
|
645En existencias
600Se espera el 25/5/2027
|
|
|
$7.07
|
|
|
$4.73
|
|
|
$3.80
|
|
|
$3.38
|
|
|
$2.98
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V, 14 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a D2PAK package
- STB25N018M9
- STMicroelectronics
-
1:
$6.13
-
136En existencias
-
1,000En pedido
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB25N018M9
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V, 14 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a D2PAK package
|
|
136En existencias
1,000En pedido
|
|
|
$6.13
|
|
|
$4.02
|
|
|
$2.96
|
|
|
$2.67
|
|
|
$2.26
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.21
|
|
|
$2.11
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel logic level 40 V, 0.59 mOhm max., 420 A Smart STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
- STL059N4S8AG
- STMicroelectronics
-
1:
$3.73
-
117En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL059N4S8AG
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel logic level 40 V, 0.59 mOhm max., 420 A Smart STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
|
|
117En existencias
|
|
|
$3.73
|
|
|
$2.43
|
|
|
$2.43
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
- ST8L65N050DM9
- STMicroelectronics
-
1:
$8.46
-
191En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-ST8L65N050DM9
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
|
|
191En existencias
|
|
|
$8.46
|
|
|
$5.96
|
|
|
$5.96
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-4
|
|
|
|
GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT190R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
$4.04
-
700En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SGT190R70ILB
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
700En existencias
|
|
|
$4.04
|
|
|
$3.01
|
|
|
$2.28
|
|
|
$2.20
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.53
|
|
|
$1.81
|
|
|
$1.53
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
- ST8L65N065DM9
- STMicroelectronics
-
1:
$6.93
-
218En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-ST8L65N065DM9
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
|
|
218En existencias
|
|
|
$6.93
|
|
|
$4.64
|
|
|
$4.64
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-4
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
- SCT019HU120G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
$22.12
-
12En existencias
-
600Se espera el 1/3/2027
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCT019HU120G3AG
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
|
|
12En existencias
600Se espera el 1/3/2027
|
|
|
$22.12
|
|
|
$16.52
|
|
|
$12.69
|
|
|
$12.63
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
600
|
|
SiC MOSFETS
|
|
|
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC Automotive 1200 V, 30 A Silicon Carbide Diode
- STPSC30G12WLY
- STMicroelectronics
-
1:
$19.58
-
385En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STPSC30G12WLY
|
STMicroelectronics
|
Diodos Schottky de SiC Automotive 1200 V, 30 A Silicon Carbide Diode
|
|
385En existencias
|
|
|
$19.58
|
|
|
$12.20
|
|
|
$10.27
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC Schottky Diodes
|
|
Through Hole
|
DO-247-2
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC 1200 V, 40 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
- STPSC40G12WL
- STMicroelectronics
-
1:
$18.47
-
543En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STPSC40G12WL
|
STMicroelectronics
|
Diodos Schottky de SiC 1200 V, 40 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
|
|
543En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC Schottky Diodes
|
|
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
- PD55008-E
- STMicroelectronics
-
1:
$17.51
-
1,463En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD55008-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
|
|
1,463En existencias
|
|
|
$17.51
|
|
|
$12.47
|
|
|
$11.48
|
|
|
$11.42
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V 17A STripFET II
- STD18NF25
- STMicroelectronics
-
1:
$2.99
-
12,328En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD18NF25
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V 17A STripFET II
|
|
12,328En existencias
|
|
|
$2.99
|
|
|
$1.90
|
|
|
$1.33
|
|
|
$1.08
|
|
|
$1.02
|
|
|
$0.95
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
- STL36DN6F7
- STMicroelectronics
-
1:
$1.52
-
41,888En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL36DN6F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
|
|
41,888En existencias
|
|
|
$1.52
|
|
|
$0.96
|
|
|
$0.637
|
|
|
$0.499
|
|
|
$0.392
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.454
|
|
|
$0.374
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5x6-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
- STD80N340K6
- STMicroelectronics
-
1:
$4.61
-
2,419En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD80N340K6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
|
|
2,419En existencias
|
|
|
$4.61
|
|
|
$3.04
|
|
|
$2.15
|
|
|
$1.84
|
|
|
$1.71
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
- PD55003-E
- STMicroelectronics
-
1:
$11.35
-
6,421En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD55003-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
|
|
6,421En existencias
|
|
|
$11.35
|
|
|
$7.90
|
|
|
$7.28
|
|
|
$7.20
|
|
|
$7.09
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
|
|
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 600V, 25A, Ultrafast diode
- STTH25M06B-TR
- STMicroelectronics
-
1:
$1.92
-
48,988En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STTH25M06B-TR
|
STMicroelectronics
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 600V, 25A, Ultrafast diode
|
|
48,988En existencias
|
|
|
$1.92
|
|
|
$1.21
|
|
|
$0.826
|
|
|
$0.656
|
|
|
$0.583
|
|
|
$0.547
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
Diodes - General Purpose, Power, Switching
|
|
SMD/SMT
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate
- STL60N10F7
- STMicroelectronics
-
1:
$2.00
-
26,936En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL60N10F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate
|
|
26,936En existencias
|
|
|
$2.00
|
|
|
$1.28
|
|
|
$0.858
|
|
|
$0.68
|
|
|
$0.627
|
|
|
$0.627
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5x6-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
- SH68N65DM6AG
- STMicroelectronics
-
1:
$20.40
-
179En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-SH68N65DM6AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
|
|
179En existencias
|
|
|
$20.40
|
|
|
$14.57
|
|
|
$12.16
|
|
|
$12.16
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
200
|
|
MOSFETs
|
Si
|
|
|
|
|
|
SCR 16 A 800 V High Temperature SCR
- TN1605H-8G-TR
- STMicroelectronics
-
1:
$2.14
-
3,994En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-TN1605H-8G-TR
|
STMicroelectronics
|
SCR 16 A 800 V High Temperature SCR
|
|
3,994En existencias
|
|
|
$2.14
|
|
|
$1.37
|
|
|
$0.924
|
|
|
$0.734
|
|
|
$0.655
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.575
|
|
|
$0.555
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
SCRs
|
|
|
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
- BU508AF
- STMicroelectronics
-
1:
$3.97
-
12,031En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
BU508AF
N.º de artículo de Mouser
511-BU508AF
|
STMicroelectronics
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
|
|
12,031En existencias
|
|
|
$3.97
|
|
|
$2.18
|
|
|
$1.78
|
|
|
$1.48
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.43
|
|
|
$1.36
|
|
|
$1.28
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
ISOWATT-218FX-3
|
|
|
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V tp 70V BI
- SM15T39CAY
- STMicroelectronics
-
1:
$1.28
-
47,400En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-SM15T39CAY
|
STMicroelectronics
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V tp 70V BI
|
|
47,400En existencias
|
|
|
$1.28
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.732
|
|
|
$0.58
|
|
|
$0.492
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.524
|
|
|
$0.44
|
|
|
$0.424
|
|
|
$0.414
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
SMC (DO-214AB)
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Medium current, high performance, low Voltage PNP transistor
- STD888T4
- STMicroelectronics
-
1:
$0.98
-
70,214En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD888T4
|
STMicroelectronics
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Medium current, high performance, low Voltage PNP transistor
|
|
70,214En existencias
|
|
|
$0.98
|
|
|
$0.611
|
|
|
$0.398
|
|
|
$0.306
|
|
|
$0.265
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.276
|
|
|
$0.211
|
|
|
$0.208
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-252-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
- STL130N6F7
- STMicroelectronics
-
1:
$2.99
-
20,014En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL130N6F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
|
|
20,014En existencias
|
|
|
$2.99
|
|
|
$1.94
|
|
|
$1.34
|
|
|
$1.08
|
|
|
$1.02
|
|
|
$0.949
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5x6-8
|
|
|
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS EMI Filter ESD
- ESDALC6V1-5P6
- STMicroelectronics
-
1:
$0.42
-
122,819En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-ESDALC6V1-5P6
|
STMicroelectronics
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS EMI Filter ESD
|
|
122,819En existencias
|
|
|
$0.42
|
|
|
$0.278
|
|
|
$0.204
|
|
|
$0.171
|
|
|
$0.112
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.156
|
|
|
$0.107
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
SOT-666-6
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
- PD54008-E
- STMicroelectronics
-
1:
$15.56
-
1,546En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD54008-E
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STMicroelectronics
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
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1,546En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
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RF MOSFET Transistors
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Si
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SMD/SMT
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PowerSO-10RF-Formed-4
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
- PD57060-E
- STMicroelectronics
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1:
$56.18
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850En existencias
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N.º de artículo de Mouser
511-PD57060-E
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STMicroelectronics
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
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850En existencias
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$56.18
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$48.43
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$46.73
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Min.: 1
Mult.: 1
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RF MOSFET Transistors
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Si
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SMD/SMT
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PowerSO-10RF-Formed-4
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