STMicroelectronics Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos

Cambiar Vista por categorías
Resultados: 4,116
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.4 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET i 2,487En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz 18En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 100

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT LBB-5
STMicroelectronics Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, sixpac topology, 1200 V, 47.5 mOhm typ. SiC Power MOSFET with NTC 124En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules Press Fit
STMicroelectronics Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 3-phase four wire PFC topology, 1200 V, 84 mOhm typ. SiC Power MOSFET with rectifier diode and NTC 127En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules Press Fit
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor 365En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,800

GaN FETs GaN SMD/SMT TO-LL-11
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET 796En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-7
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET 455En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 600

MOSFETs Si SMD/SMT HU3PAK-7
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.85 mOhm max., 545 A STripFET F7 Power MOSFET 1,616En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,800

MOSFETs Si SMD/SMT TO-LL-8
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V, 4A power Schottky High Surge silicon carbide diode 2,440En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT SMBF-2
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 4kW Transil SMA 5V to 70V Uni 4,199En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 3000W Transil 18V 0.2uA 15kV 8kV Uni 2,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500
SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 3000W Transil 6V 0.2uA 15kV 8kV BI 2,489En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2 2,265En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed 2,258En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-220FP-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package 808En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics SCR 1.25A SENSITIVE GATE SCR 6,469En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SCRs Through Hole TO-92-3 (TO-226-3)
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24 47En existencias
600Se espera el 27/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac 564En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics Triacs Hi temp 10A Triacs 2,489En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Triacs SMD/SMT D2PAK
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V to 70V Uni 2,056En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 4kW Transil SMA 5V to 70V Bi 4,192En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 6.4Ohm 1.2A SuperMESH3 FET 1,444En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra 922En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5 984En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V to 70V Uni 2,725En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

SMC (DO-214AB)